گلکسی S10 سامسونگ با 1 ترابایت حافظه داخلی عرضه می‌شود

شرکت سامسونگ از تولید نخستین تراشه حافظه 1 ترابایتی eUFS 2.1 (حافظه فلش تعبیه‌شده)، خبر داد. در حال حاضر این تراشه به تولید انبوه رسیده است و انتظار داریم نسل بعدی گوشی‌های هوشمند از این ویژگی بهره‌مند شوند. به احتمال زیاد سامسونگ گلکسی S10، اولین گوشی هوشمندی خواهد بود که این تراشه در آن تعبیه می‌شود.

حافظه 1TB eUFS دقیقاً هم‌اندازه تراشه 512GB طراحی شده است که تقریبا برابر با 11.5 در 13 میلی‌متر است. این تراشه با داشتن 16 لایه ذخیره‌سازی از پیشرفته‌ترین حافظه‌های فلش V-NAND و یک کنترل‌کننده اختصاصی، توانسته است ظرفیتی دو برابر نسخه‎های قبلی ایجاد کند.

سرعت کار حافظه 1TB eUFS هم به‌صورت استثنایی بالا رفته است و به‌این‌ترتیب کاربران می‎توانند حجم بزرگی از فایل‎های چندرسانه‎ای را در زمانی بسیار کم به گوشی خود منتقل کنند. سرعت انتقال این حافظه، 1000 مگابایت بر ثانیه یعنی تقریباً دو برابر سرعت خواندن در یک حافظه SATA SSD 2.5 اینچی است. سرعت نوشتن ترتیبی آن نیز 260 مگابایت بر ثانیه برآورد شده است که چنین سرعتی بسیار تحسین‌ برانگیز است. به‌طور کلی می‌توان گفت سرعت خواندن تصادفی تراشه 1 ترابایتی در مقایسه با نسخه 512 گیگابایتی، تا 38 درصد افزایش یافته است.

مقایسه عملکرد حافظه‌های داخلی مختلف:

حافظه سرعت خواندن ترتیبیسرعت نوشتن ترتیبیسرعت خواندن تصادفیسرعت نوشتن تصادفی
1TB eUFS 2.11000 MB/s260 MB/s58,000 IOPS50,000 IOPS
512GB eUFS 2.1860 MB/s255 MB/s42,000 IOPS40.000 IOPS
256GB UFS Card530 MB/s170 MB/s40,0000 IOPS35.000 IOPS
256 eUFS 2.0850 MB/s260 MB/s45,000 IOPS40,000 IOPS
128GB eUFS 2.0300 MB/s150 MB/s19,000 IOPS14,000 IOPS
ممکن است شما دوست داشته باشید
نوشتن دیدگاه

آدرس ایمیل شما منتشر نخواهد شد.

دیدگاه شما پس از بررسی توسط تحریریه منتشر خواهد شد.

اینستاگرام آی‌تی‌رسان