روز گذشته سامسونگ از ورژن به‌روزرسانی شده حافظه‌های 16 گیگابیتی DDR5 DRAM خود رسما رونمایی کرد. این حافظه بر پایه فناوری فرآیند کلاس 12 نانومتری تولید شده و ورژن ارتقایافته نمونه 14 نانومتری EUV موجود در بازار محسوب می‌شود.
اطلاعات منتشر شده نشان می‌دهند که حافظه‌های جدید DDR5 DRAM با محصولات AMD سازگاری داشته و برای فعالیت در کنار آنها بهینه‌سازی و تائید شده‌اند. Jooyoung Lee؛ معاون ارشد محصول و فناوری‌های DRAM شرکت سامسونگ اعلام کرد که استاندارد جدید یک عامل کلیدی در مقبولیت حافظه‌های DDR5 DRAM در بازار به‌شمار می‌رود.
این حافظه‌ها با استفاده از ماده جدیدی تولید می‌شوند که ظرفیت سلولی را افزایش داده و به لطف استفاده از فناوری طراحی اختصاصی، ویژگی‌های حیاتی مدار را بهبود می‌دهند. حافظه DRAM جدید بر پایه لیتوگرافی ماوراءبنفش بی‌نهایت (EUV) تولید شده و این موضوع امکان افزایش چگالی قالب و بهبود 20 درصدی بهره‌وری ویفر را فراهم می‌کند. همچنین میزان مصرف انرژی این حافظه‌ها 23 درصد کاهش یافته و امکان انجام فعالیت‌های سازگارتر با محیط زیست از سوی شرکت‌های حوزه فناوری اطلاعات را فراهم می‌کند.
بر اساس پیش‌بینی‌ها نخستین حافظه‌های مجهز به فناوری جدید DDR5 DRAM در سال 2023 عرضه خواهند شد.
