بر اساس گزارش جدید خبرگزاری Yonhap News انتظار میرود که سامسونگ در هفته آینده خبر آغاز تولید انبوه تراشههای ۳ نانومتری را رسما اعلام نماید. این موضوع بدان معناست که غول کرهای از رقیب تایوانی خود یعنی TSMC پیشی گرفته و احتمالا تولید تراشههای ۳ نانومتری را در ۶ ماهه دوم سال جاری آغاز خواهد کرد.
گره فرآیندی ۳ نانومتری سامسونگ در مقایسه با فرآیند ۵ نانومتری این شرکت که برای تولید تراشههای اسنپدراگون ۸۸۸ و اگزینوس ۲۱۰۰ مورد بهرهبرداری قرار گرفت؛ از ۳۵ درصد اندازه کوچکتر، ۳۰ درصد عملکرد بهتر یا ۵۰ درصد مصرف انرژی کمتر برخوردار خواهد بود. این دستاورد مدیون استفاده از طراحی Gate-All-Around (GAA) برای ترانزیستورها است.
این معماری در مقایسه با FinFET یک گام پیشرفتهتر بوده و به سامسونگ امکان میدهد تا اندازه ترانزیستورها را کاهش دهد؛ بیآنکه به توانایی آنها جهت حمل جریان آسیبی وارد شود. طراحی GAAFET مورد استفاده در فرآیند ۳ نانومتری دارای ساختار MBCFET است و این موضوع در تصویر زیر به معرض نمایش گذاشته شده است.
جو بایدن؛ رییسجمهور ایالاتمتحده طی ماه گذشته از کارخانه سامسونگ در پیونگ تاک بازدید کرد تا در مراسم رونمایی از فناوری ۳ نانومتری سامسونگ شرکت کند. سال گذشته خبرهایی منتشر شد که نشان میداد سامسونگ احتمالا در صدد انجام سرمایهگذاری ۱۰ میلیارد دلاری جهت احداث کارخانه تولید تراشههای ۳ نانومتری در تگزاس است. اکنون رقم این سرمایهگذاری به ۱۷ میلیارد دلار افزایش یافته است. بر اساس پیشبینیها این کارخانه فعالیت خود را در سال ۲۰۲۴ آغاز خواهد کرد.
روند تکامل ترانزیستورهای سیلیکونی
در هر صورت بزرگترین نگرانی پیرامون یک فرآیند جدید به بازدهی آن مربوط میشود. سامسونگ در اکتبر سال گذشته اعلام کرد که بازدهی فرآیند ۳ نانومتری این شرکت به سطحی مشابه گره فرآیندی ۴ نانومتری خواهد رسید. در این میان اگرچه کمپانی کرهای هرگز به آمار و ارقام خاصی اشاره نکرده است؛ اما کارشناسان معتقدند که فرآیند ۴ نانومتری سامسونگ با مشکلات بازدهی مواجه بود.
سایت کارخانه سامسونگ در منطقه تیلور ایالت تگزاس
انتظار میرود که تولید تراشه با استفاده از دومین نسل فرآیند ۳ نانومتری در سال ۲۰۲۳ آغاز شود. همچنین نقشه راه کمپانی از بهکارگیری فرآیند ۲ نانومتری مبتنی بر طراحی MBCFET در سال ۲۰۲۵ حکایت دارد.
