شرکت سامسونگ اخیرا از دو نقطه عطف جدید در کسبوکار حافظه خود رونمایی کرد. اکنون این شرکت سرگرم تولید نمونههای اولیه کارت حافظه میکرو اسدی SD Express خود با ظرفیت ۲۵۶ گیگابایتی است.
همچنین اطلاعات فاش شده نشان میدهند که سامسونگ تولید انبوه کارتهای حافظه میکرو اسدی ۱ ترابایتی UHS-۱ را آغاز کرده است. حداکثر سرعت خواندن اطلاعات در کارتهای SD Express سامسونگ به ۸۰۰ مگابایت برثانیه میرسد.
بدینترتیب سرعت خواندن اطلاعات در این کارتها از حافظههای SATA SSD با حداکثر سرعت ۵۶۰ مگابایت برثانیه بیشتر بوده و در مقایسه با کارتهای حافظه سنتی UHS-۱ (با حداکثر سرعت ۲۰۰ مگابایت برثانیه) چهار برابر سریعتر است.
این کارتها به منظور حفظ دمای مطلوب حتی در سناریوهای استفاده طولانی دارای محافظ حرارتی دینامیکی (DTG) هستند. سامسونگ با قرار دادن ۸ لایه از فناوری V-NAND نسل هشتم خود موفق به ساخت کارت حافظه میکرو اسدی ۱ ترابایتی شده است.
کارت حافظه جدید پیشتر سختترین تستهای صنعتی را پشت سر گذاشته و بایستی حتی در دماهای شدید نیز قابل استفاده باشد.
کارت حافظه میکرو اسدی SD Express با ظرفیت ۲۵۶ گیگابایتی در اواخر سال ۲۰۲۴ برای خرید قابل دسترس خواهد بود. کارت میکرو اسدی ۱ ترابایتی در ۳ ماهه سوم سال ۲۰۲۴ به بازار عرضه خواهد شد.
