کامبریج الکترونیکس که متشکل از دانشمندان موسسه تکنولوژی ماساچوست است، در طول تحقیقات جدید خود به این نکته دست یافته که استفاده از نیمه هادی‌های گالیم نیترید (GaN) در ساخت دیتاسنتر‌ها و قطعات الکتریکی باعث می‌شود که مصرف برق چنین قطعاتی تا 20 درصد کاهش یابد و احتمال می‌رود این محصولات تا سال 2025 محقق شوند.
کامبریج الکترونیکس نشان می‌دهد که استفاده از GaN در ساخت ترانزیستور‌ها باعث می‌شود که تنها یک دهم انرژی مورد استفاده در سیلیکون‌ها مصرف شود. این کمپانی اعلام کرده است موانع قبلی نظیر نگرانی‌های ایمنی و هزینه را از طریق این فناوری جدید پشت سر گذاشته است.
Bin Lu محقق کامبریج الکترونیکس گفته است که ما سعی داریم تا ترانزیستور و سایر قطعات الکتریکی را از طریق GaN تولید کنیم که این روش جایگزین روش قبلی یا همان سیلیکونی است که از لحاظ هزینه، هر دو به یک اندازه هستند اما از لحاظ کارایی، GaN می‌تواند 100 برابر بیشتر از سیلیکون عملکرد داشته باشد.
