سامسونگ از نخستین تراشه 5 نانومتری خود با نام اگزینوس 1080 رسما رونمایی کرد
این تراشه با استفاده از فرآیند 5 نانومتری EUV FinFET و بر پایه معماری 4+3+1 هستهای تولید شده است.
این تراشه با استفاده از فرآیند 5 نانومتری EUV FinFET و بر پایه معماری 4+3+1 هستهای تولید شده است.
این تراشه در خانواده پردازندههای با کارآیی بالا طبقهبندی میشود؛ اما گوشیهای سری گلکسی S21 سامسونگ از آن بهرهبرداری نخواهد کرد.