سامسونگ برای سال‌های متمادی سازنده اصلی حافظه بوده و امروز نیز این شرکت اعلام کرد که شروع به ساخت نسل بعدی تراشه‌های حافظه V-NAND کرده است. این پنجمین نسخه از این تکنولوژی بوده و ویژگی اصلی آن اینترفیس Toggle DDR 4.0″ NAND” است.
این ویژگی در مقایسه با مدل قبلی، سرعت‌های انتقال بین حافظه و رم را به‌میزان ۴۰ درصد افزایش داده و مقدار آن به ۱.۴ گیگابیت بر ثانیه خواهد رسید. اما علاوه بر عملکرد بهتر، حافظه جدید تنها به ۱.۲ ولت انرژی نیاز خواهد داشت (در مقایسه با نیاز ۱.۸ ولتی مدل قبلی).
نسل پنجم تراشه‌های V-NAND شبیه به مدل‌های پیشین ساخته شده و به‌جای ۶۴ لایه از ۹۰ لایه شامل سلول‌های سه بعدی CTF تشکیل شده است. این سلول‌ها در یک ساختار هرمی‌شکل با سوراخ‌های میکروسکوپی در بین آن‌ها بر روی هم قرار گرفته‌اند. این سوراخ‌ها به‌عنوان کانال عمل کرده و تنها چندصد نانومتر عرض دارند و در بین حدود ۸۵ میلیارد سلول پخش شده‌اند و هرکدام از آن‌ها تا سه بیت داده را در خود ذخیره می‌کنند.
این تکنولوژی، بهبود قابل توجهی در سرعت رایت محسوب می‌شود (حدود ۳۰ درصد بیشتر از مدل قبلی). زمان پاسخ برای خواندن سیگنال‌ها حدود ۵۰ میکروثانیه است. این چیپ‌های ۲۵۶ گیگابایتی جدید به احتمال زیاد در تعدادی از دستگاه‌های رده‌بالای سامسونگ مورد استفاده قرار خواهند گرفت.
