کمپانی کوالکام برای تولید پلتفرم موبایلی پرچم‌دار اسنپ‌دراگون 8 نسل 1 از فرآیند 4 نانومتری استفاده کرد. اکنون کمپانی آمریکایی در تدارک استفاده از یک فرآیند جدید برای تراشه‌های آتی خود است. این نیمه‌هادی‌ها برای دستگاه‌های پوشیدنی مورد استفاده قرار می‌گیرند.
تراشه‌های آینده Snapdragon Wear 5100 و +Snapdragon Wear 5100 احتمالا با استفاده از فرآیند 4 نانومتری تولید می‌شوند و در مقایسه با تراشه‌های نسل فعلی از عملکرد بهتری برخوردار خواهند بود.
جهت اطلاع افراد ناآگاه بایستی خاطرنشان کرد که تراشه نسل فعلی Snapdragon Wear 4100 کوالکام با استفاده از فرآیند 12 نانومتری تولید شده است؛ در حالی‌که تراشه نسل قبلی Snapdragon Wear 3100 با استفاده از فرآیند 28 نانومتری تولید شد.
همچنین بر اساس گزارشات، این تراشه‌های جدید توسط واحد تولید نیمه‌هادی سامسونگ موسوم به Samsung Foundry تولید خواهند شد. با این‌حال تراشه‌های مذکور توسط سایر کمپانی‌های تولیدکننده اسمارت‌فون نیز به‌کار گرفته شده و کاربری آنها صرفا به دستگاه‌های سامسونگی محدود نخواهد بود.
شایان به ذکر است که تراشه اسنپ‌دراگون 8 نسل 1 کوالکام با استفاده از فرآیند جدید 4 نانومتری شرکت سامسونگ تولید می‌شود. در صورت صحت گزارشات اخیرا منتشر شده به‌نظر می‌رسد که تفاوت میان تراشه‌های Snapdragon Wear 5100 و +5100 به کیفیت پکیج آنها مربوط می‌شود. در چیپست Snapdragon Wear 5100 قسمت تراشه و مدارات مجتمع مدیریت انرژی (PMIC) از یکدیگر تفکیک خواهند شد.
از سوی دیگر تراشه +Snapdragon Wear 5100 از تکنیک پکیج توکار قالب‌گیری شده (MEP) بهره خواهد برد. در این‌حالت تمامی اجزا در کنار یکدیگر درون یک پکیج واحد قرار می‌گیرند. همچنین بر اساس شنیده‌ها این تراشه به منظور تشخیص ضربان قلب، سقوط و ارائه تحربه لمسی بهبودیافته از فناوری شرکت ARM استفاده خواهد کرد.
بر اساس گزارشات هر 2 تراشه جدید مجهز به 4 هسته پردازشی کورتکس A53 با فرکانس 1.7 گیگاهرتز همراه با پردازنده گرافیکی آدرنو 702 با فرکانس 700 مگاهرتز هستند. بعلاوه این تراشه‌ها از حداکثر 4 گیگابایت رم LPDDR4X و حافظه داخلی eMMC 5.1 پشتیبانی خواهند کرد.
