سامسونگ الکترونیکس اخیرا اعلام کرد که فرآیند تولید نمونه اولیه نخستین حافظه DRAM GDDR6 در صنعت با پهنای باند 16 گیگابیتی و سرعت پردازش 24 گیگابیت برثانیه را آغاز نموده است. این تراشه بر پایه فرآیند 10 نانومتری EUV تولید شده و بر اساس پیش‌بینی‌ها عملکرد پردازنده‌های گرافیکی در لپتاپها و کنسول‌ها را افزایش خواهد داد. تراشه DRAM جدید از سازگاری گسترده در سطح جهانی برخوردار بوده و در نتیجه می‌تواند توسط طیف وسیعی از تولیدکنندگان پردازنده‌های گرافیکی مورد استفاده قرار گیرد.
مهندسان شاغل در دفتر مرکزی سامسونگ واقع در شهر Suwon موفق به خلق یک طراحی مدار نوآورانه و یک ماده عایق بسیار پیشرفته با نام High-K Metal Gate (HKMG) شدند. این ماده عایق میزان نشت داده را به حداقل می‌رساند. این موضوع بدان معناست که حافظه‌های DRAM GDDR6 در مقایسه با مدل‌های نسل قبلی خود 30 درصد سریع‌تر عمل می‌کنند.
سری جدید حافظه‌های GDDR6 سامسونگ امکان تولید محصولات کم‌مصرف جهت افزایش مدت شارژدهی باتری لپتاپها را فراهم می‌کند. این حافظه‌ها از فناوری سو‌ئیچینگ دینامیکی ولتاژ استفاده می‌کنند. کمپانی کره‌ای نسخه‌هایی از حافظه‌های DRAM GDDR6 خود با سرعت پردازش 20 و 16 گیگابیت برثانیه را روانه بازار خواهد کرد. این تراشه‌ها در عوض استفاده از ولتاژ استاندارد 1.35 ولتی صنعت با ولتاژ 1.1 ولتی فعالیت می‌کنند.
دنیل لی؛ معاون اجرایی تیم برنامه‌ریزی محصولات حافظه‌ای در شرکت سامسونگ اعلام کرده که دلیل استفاده از چنین سرعت بالایی، نیازمندی انفجارگونه به پردازش سریع داده‌ها در حوزه فناوری‌های هوش مصنوعی و متاورس است. در حال حاضر کمپانی مشغول نمونه‌برداری از پلتفرم جدید است. این پدیده بدان معناست که پلتفرم مذکور هنوز تائیدیه‌های لازم برای استفاده در سناریوهای واقعی را دریافت نکرده است. با این‌حال بی‌تردید در آینده شاهد به‌کارگیری این حافظه‌ها در پلتفرم‌های GPU و عرضه آنها به بازار خواهیم بود.
تراشه DRAM GDDR6 سامسونگ
