حافظه‌های DDR6 سامسونگ در مقایسه با مدل‌های DDR5 دو برابر سریع‌تر خواهند بود

سامسونگ یکی از شرکت‌های پیشرو در زمینه تولید نیمه‌هادی‌ها به‌شمار می‌رود. این برند کره‌ای در زمینه تولید انواع سنسورهای دوربین، تراشه‌های حافظه، چیپست‌ها، ابزارهای ذخیره‌سازی و باتری‌ها فعالیت می‌کند. در واقع سامسونگ به شکلی فعالانه در تمامی این حوزه‌ها تلاش می‌کند. اما دستیابی به پیشرفت در یک مسیر مشخص و رساندن آن به کاربران نهایی 2 مقوله مجزا از یکدیگر محسوب می‌شوند.

به‌عنوان مثال یانگوان کو؛ معاون ارشد سامسونگ اخیرا ضمن برگزاری سمیناری در شهر Suwon کره‌جنوبی اعلام کرد که با قدرتمندتر شدن نیمه‌هادی‌های حافظه، فناوری پکیجینگ نیز بایستی به‌طور همزمان توسعه پیدا کند. از این منظر وی اعلام کرد که اعمال فرآیند MSAP روی تراشه‌های حافظه DDR6 به سامسونگ امکان خواهد داد تا تراشه‌هایی با مدارات ظریف‌تر را تولید نماید.

بر اساس گزارش وبسایت The Elec، رقبای سامسونگ پیش از این برای تولید حافظه‌های DDR5 از فناوری پکیجینگ MSAP استفاده کرده‌اند؛ اما سامسونگ قصد دارد تا پا را یک قدم فراتر گذاشته و از این تکنولوژی برای حافظه‌های DDR6 استفاده کند. روش‌های پکیج‌بندی سنتی صرفا نواحی الگوی مدار را پوشانده و سایر بخش‌ها را حکاکی می‌کنند؛ اما در تکنیک پکیج‌بندی MSAP نواحی خارج از مدار نیز پوشش داده شده و قسمت‌های خالی آبکاری می‌شوند. این موضوع امکان تولید مدارات ظریف‌تر را فراهم می‌کند.

تولید حافظه‌های DDR6 با فناوری پکیجینگ MSAP مزایای فراوانی را به‌همراه خواهد داشت

چند روز قبل شرکت سامسونگ از نخستین تراشه DRAM GDDR6 خود با سرعت پردازش 24 گیگابیت برثانیه برای کارت‌های گرافیکی رونمایی کرد. گزارشات مربوطه نشان می‌دهند که کمپانی کره‌ای در مراحل اولیه توسعه حافظه‌های DDR6 قرار دارد. در صورت صحت گزارش منتشر شده طی سال گذشته انتظار می‌رود که سامسونگ فرآیند طراحی حافظه‌های DDR6 را در سال 2024 تکمیل نماید.

بر اساس پیش‌بینی‌ها حافظه‌های DDR6 در مقایسه با نمونه‌های DDR5 دو برابر سریع‌تر بوده و تعداد کانال‌های حافظه نیز در آنها دو برابر خواهد بود. حافظه‌های DDR6 می‌توانند به نرخ انتقال حدودا 12800 مگابیت برثانیه دست پیدا کنند و این رقم در حالت اورکلاک شده به 17000 مگابیت برثانیه افزایش خواهد یافت.

در حال حاضر سریع‌ترین ماژول‌های DDR5 DIMM سامسونگ دارای سرعت انتقال حداکثر 7200 مگابیت برثانیه هستند. به‌عبارت دیگر ماژول‌های DDR6 تقریبا 0.7 برابر سریع‌تر بوده و سرعت آنها در حالت اورکلاک شده نیز 1.36 برابر بیش‌تر خواهد بود. بنابراین سامسونگ گلکسی S25 احتمالا نخستین اسمارت‌فون با تراشه حافظه DDR6 به‌شمار خواهد رفت. با این‌حال بعید نیست که سامسونگ تراشه‌های حافظه تولیدی خود را ابتدا در اختیار سایر شرکت‌های تولیدکننده اسمارت‌فون قرار دهد.

دیدگاه‌ خود را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

پیمایش به بالا
TCH