شرکت سامسونگ در اوایل ماه جاری میلادی اعلام کرد که آمادهسازی خطوط مونتاژ برای تولید انبوه تراشههای ۳ نانومتری اگزینوس بر پایه طراحی Gate-All-Around (GAA) را آغاز کرده است.
با اینحال مشخص نیست که این تراشه با چه نامی روانه بازار خواهد شد. اولین تراشه ۳ نانومتری سامسونگ میتواند با نام اگزینوس ۲۵۰۰ عرضه شده و نخستین بار در سری گلکسی S25 مورد استفاده قرار گیرد. همچنین تراشه اگزینوس W1000 که تا چند ماه دیگر با سری گلکسی واچ ۷ عرضه میشود نیز احتمالا از معماری ۳ نانومتری برخوردار خواهد بود.
بعلاوه سامسونگ به آینده نیز نیمنگاهی دارد؛ چرا که وبسایت ETNews گزارش میدهد که سامسونگ کار روی تراشه ۲ نانومتری اگزینوس ۲۶۰۰ با اسم رمز Thetis را آغاز کرده است. انتظار میرود که تولید انبوه این نیمههادی در نیمه دوم سال ۲۰۲۵ آغاز شده و تراشه مذکور تا زمان عرضه سری گلکسی S26 آماده بهرهبرداری باشد.
برخی گزارشها نشان میدهند که کوالکام برای تولید تراشه اسنپدراگون ۸ نسل ۴ کماکان از گره فرآیندی ۴ نانومتری استفاده خواهد کرد. این موضوع موجب برتری تراشه اگزینوس ۲۵۰۰ نسبت به رقیب کوالکامی خود خواهد شد.
برخی گزارشهای دیگر نشان میدهند که تراشه اسنپدراگون ۸ نسل ۴ با استفاده از نسخه جدیدتر گره فرآیندی ۳ نانومتری کمپانی TSMC موسوم به N3E تولید خواهد شد. بر اساس گزارشها اپل ۹۰ درصد ظرفیت تولید تراشههای ۳ نانومتری TSMC طی سال گذشته را به خود اختصاص داد. با اینحال تقاضا برای سال جاری میلادی احتمالا کاهش یافته و در نتیجه برنامهها تا حدودی دستخوش تغییر خواهند شد.
به هرحال یک رسانه خبری تایوانی ادعا کرده که تراشه اسنپدراگون ۸ نسل ۴ برای گلکسی از سال ۲۰۲۵ بر پایه گره فرآیندی ۳ نانومتری GAA Plus یا همان GAP سامسونگ تولید خواهند شد.
همچنین TSMC روی توسعه گره فرآیندی ۲ نانومتری کار میکند؛ اما خطوط تولید این شرکت احتمالا به ساخت تراشههای مورد نیاز آیفون ۱۷ پرو و برخی مدلهای مک اختصاص خواهند یافت. سری آیفون ۱۷ در سال ۲۰۲۶ عرضه میشود؛ بنابراین در آن زمان شاهد شکلگیری نبرد ۲ نانومتری میان شرکتهای اپل و سامسونگ خواهیم بود.
