شرکت IBM اعلام نموده که به یک موفقیت بزرگ در فرآیند ساخت ترانزیستورهای سیلیکونی دست پیدا کرده است که امکان تولید تراشه‌های 5 نانومتری را برای آن فراهم می‌سازد. این فرآیند که اولین در صنعت محسوب می‌شود، با همکاری این شرکت با کمپانی‌های Global Foundries و سامسونگ توسعه یافته است. اگرچه هنوز اطلاعات زیادی از این پروسه منتشر نشده ولی در آینده نزدیک IBM در سمپوزیم 2017 در کنفرانس تکنولوژی VLSI در شهر کیوتو کشور ژاپن، اطلاعات بیشتری را در اختیار رسانه‌ها قرار خواهد داد.
درحالی‌که کمتر از 2 سال پیش فرآیند تولید گره 7 نانومتری قادر به میزبانی از 20 میلیارد ترانزیستور بود، به احتمال زیاد تراشه‌های 5 نانومتری با انقلابی در این زمینه همراه هستند. هنوز شاهد معرفی پردازنده‌ای با فرآیند 7 نانومتری نبوده‌ایم و حال از پروسه 5 نانومتری رونمایی شده است که باعث قرارگیری نزدیک به 30 میلیارد ترانزیستور بر روی ویفرهای کوچک‌تر سیلیکونی می‌شوند.
تراشه‌های جدید اندازه‌ای برابر با یک ناخن داشته و در مقایسه با پردازنده‌های 10 نانومتری با مصرف انرژی یکسان، 40 درصد کارایی بیشتری دارند که البته درصورتی‌که مصرف انرژی مهم باشد می‌توان با کارایی یکسان، مصرف انرژی را 75 درصد کمتر کرد. ترانزیستور بیشتر باعث افزایش عملکرد پردازنده می‌شود که این امر سرعت بخشیدن به انجام محاسبات، بهبود عملکرد اینترنت اشیا، کیفیت بالاتر واقعیت مجازی و هوش مصنوعی را در پی دارد.
یکی از ویژگی‌های درخور توجه پردازنده‌های تولید شده با این فرآیند، مدیریت آن‌ها جهت دستیابی به شارژدهی 2 تا 3 برابری دستگاه‌ها است. این قابلیت صرفه‌جویی در مصرف انرژی باعث می‌شود که گوشی‌های هوشمند آینده نسبت به مدل‌های حال‌حاضر دیرتر نیاز به شارژ پیدا کنند.
این تیم تحقیقاتی برای دستیابی به این امر، از صفحات نانو سیلیکونی برای ساختار ترانزیستورها استفاده کرده‌اند که جایگزین معماری FinFET در پروسه 7 نانومتری شده است. هنوز معلوم نیست که این فرآیند چه زمانی تجاری می‌گردد، چراکه ما تا امروز شاهد معرفی گوشی هوشمندی با پردازنده‌های 7 نانومتری نبوده‌ایم. براساس گفته‌های شرکت IBM، در آینده نزدیک شاهد تجاری شدن این تکنولوژی خواهیم بود.
