حافظه

این حافظه بر پایه پنجمین نسل فرآیند 10 نانومتری تولید شده و از ظرفیت 24 گیگابایتی برخوردار است.

این ماژول بر پایه کنترلر 5 نانومتری و فناوری V-NAND نسل هشتم تولید شده و مخصوص اپلیکیشن‌های هوش مصنوعی است.

این حافظه نمونه ارتقایافته مدل‌های 14 نانومتری EUV به‌شمار رفته و مصرف انرژی آن نیز حدودا 23 درصد کاهش یافته است.

این حافظه‌ها به لطف استفاده از فناوری جدید دارای فرکانس 37 گیگاهرتزی بوده و نسبت به مدل‌های GDDR6 کم‌مصرف‌تر هستند.

این حافظه از سرعت 8.5 گیگابیت برثانیه برخوردار بوده و برای نخستین بار در تراشه اسنپ‌دراگون 8 نسل 2 به‌کارگیری خواهد شد.

سامسونگ یکی از بزرگ‌ترین تولیدکنندگان حافظه‌های NAND و DRAM در جهان محسوب می‌شود.

بر اساس پیش‌بینی‌ها این حافظه‌ها تا سال 2024 به تولید انبوه رسیده و نخستین بار در سری گلکسی S25 سامسونگ به‌کارگیری خواهند شد.

این حافظه‌ها از فناوری سو‌ئیچینگ دینامیکی ولتاژ بهره گرفته و امکان تولید محصولات کم‌مصرف جهت افزایش شارژدهی لپ‌تاپ‌ها را فراهم می‌کنند.

این کارت‌ها با استفاده از حافظه‌های فلش NAND تولید شده و دوام آنها نسبت به مدل‌های معمولی سری Evo Plus تا 33 برابر بیش‌تر است.

براساس گزارشات اخیر، سامسونگ در مراحل اولیه توسعه استاندارد DDR6 قرار دارد و احتمالا در سال 2024 شاهد عرضه این حافظه‌ها به بازار خواهیم بود.

حافظه‌های جدید از ظرفیت و سرعت بالاتری نسبت به نمونه‌های LPDDR5 برخوردار بوده و میزان مصرف انرژی توسط آن‌ها نیز 20 درصد کمتر است.