نسل بعدی چیپست‌های سامسونگ می‌توانند طول عمر باتری گوشی گلکسی S9 را بهبود ببخشند

سامسونگ اعلام کرد که آماده تولید انبوه چیپست‌ها با استفاده از فرآیند 8 نانومتری Low Power Plus است. فرآیند فوق‌ کم‌مصرف 8 نانومتری، شکاف میان پروسه 10 نانومتری و 7 نانومتری را پر می‌کند. فناوری 10 نانومتری، سال گذشته و بیشتر اوقات سال جاری مورد استفاده قرار گرفت و انتظار می‌رود فرآیند 7 نانومتری در سال 2018 مورد استفاده قرار گیرد. سامسونگ می‌گوید آماده است بازده تولید را تا سطح پایدار و ثابتی افزایش دهد. این به لطف درس‌هایی بوده که سامسونگ با تولید چیپ‌های 10 نانومتری فرا گرفته است.

در مقایسه با چیپ‌های کم‌مصرف 10 نانومتری، انواع 8 نانومتری 10 درصد فضای کمتری در داخل دستگاه اشغال نموده و در عین حال 10 درصد کمتر انرژی مصرف می‌کنند که منجر به افزایش طول عمر باتری می‌شود. شرکت سامسونگ، کوالکام را به عنوان یک مشتری به شمار می‌آورد و RK Chunduru معاون ارشد این شرکت می‌گوید:

فناوری 8 نانومتری فوق‌ کم‌مصرف به سرعت به خطوط مونتاژ هدایت می‌شوند، زیرا از تکنولوژی تولید 10 نانومتری که در حال حاضر تثبیت شده، استفاده می‌کنند. در حالی‌که ممکن است تولید امری آسان باشد، چیپ‌های 8 نانومتری فوق‌ کم‌مصرف بهتر از اجزای ساخته شده با استفاده از فرآیند 10 نانومتری عمل می‌کنند.

سامسونگ در طی رویداد اروپایی انجمن بنیاد سامسونگ که در شهر مونیخ برگزار می‌شود، یک نقشه راه که نمایانگر زمان عرضه چیپ‌های 8 نانومتری فوق‌ کم‌مصرف و چیپ‌های 7 نانومتری EUV است را ارائه خواهد کرد. EUV در کنار فرآیند 7 نانومتری، نشان‌دهنده تکنولوژی لیتوگرافی ماورای بنفش فوق‌العاده (Extreme Ultraviolet) مورد استفاده سامسونگ است. این تکنولوژی، طراحی مدار یکپارچه که روی یک چیپ ریزپردازنده یافت می‌شود را ایجاد می‌کند. در ابتدا انتظار نمی‌رفت که چیپ‌های 8 نانومتری فوق‌ کم‌مصرف تا سه ماهه ابتدایی سال 2018 تولید شوند، اما سامسونگ برای اولین‌بار آن‌ها را عرضه خواهد کرد.

شرکت GlobalFoundries، با افزایش سرعت خط مونتاژ در نیمه بعدی سال، چیپ‌های تولید شده با استفاده از فرآیند 7 نانومتری را در نیمه اول سال 2018 عرضه می‌کند. این چیپ‌ها تا سال 2019 در دستگاه‌های موبایل مشاهده نخواهند شد.