دوباره اطلاعات جدیدی پیرامون اسمارت‌فون سامسونگ گلکسی S10 فاش شده و این‌بار جزئیات مربوط به پردازنده هندست نسل بعدی به اشتراک گذاشته شده است.
شایعات جدید توسط وب‌سایت ETNews از کره‌جنوبی منتشر شده و نشان می‌دهند که سامسونگ تصمیم گرفته تا از یک برد مدار پشته‌ای استفاده نماید. جهت به‌کارگیری اصطلاحی فنی از واژه‌های SLP PCB یا لایه زیربنایی استفاده می‌شود. اقدام سامسونگ بدان معناست که غول کره‌ای قادر به افزایش لایه تراشه‌های CPU جهت گنجاندن آن‌ها در فضایی حتی کوچک‌تر خواهد بود. این موضوع می‌تواند به معنای تولید تراشه‌های بیش‌تر برای دستیابی به سرعت بالاتر یا تولید همین تعداد چیپست با فضایی بیش‌تر برای سایر قطعات نظیر اسکنر اثرانگشت اولتراسونیک درون نمایشگر باشد.
سامسونگ به منظور کارآیی ممتاز هندست‌های خود، نسل جدیدی از تراشه‌ها را در نظر گرفته است
البته SLP PCB به‌خودی‌خود جدید نیست و سامسونگ در اسمارت‌فون گلکسی S9 و اپل در آی‌فون‌های خود از این مدارات استفاده می‌کنند. ترکیب این مدارات با جدیدترین تراشه‌های 7 نانومتری، اقدامی جدید از سوی سامسونگ به‌شمار می‌آید و اسمارت‌فون گلکسی S10 بایستی از فناوری مذکور بهره‌مند شود. ظاهرا این تکنیک در تراشه‌های اگزینوس و نه چیپست‌های اسنپ‌دراگون کوالکام به‌کارگیری خواهد شد. لذا هنگام مقایسه تراشه‌ها از نظر سرعت و بهره‌وری مصرف انرژی بایستی این موضوع را به‌صورت مجزا مدنظر قرار داد.
بر اساس پیش‌بینی‌ها سامسونگ در اوایل سال 2019 پرچم‌دار گلکسی S10 خود را با نمایشگر واقعا بدون‌حاشیه به‌همراه یک مدل 5G عرضه می‌کند و گوشی تاشوی گلکسی X نیز احتمالا در تاریخ مشابهی ارایه خواهد شد.
