TSMC فرآیند تولید تراشه‌های +3nm را در سال 2023 آغاز خواهد کرد

کلیه تراشه‌های پرچم‌دار جدید شامل A14 اپل، اگزینوس 1080 سامسونگ، کایرین 9000 و اسنپ‌دراگون 888 کوالکام بر پایه فناوری 5 نانومتری تولید شده‌اند. کمپانی‌های TSMC و سامسونگ هرکدام مسئولیت تولید 2 تراشه از مد‌ل‌های چهارگانه فوق را بر عهده دارند. بر اساس نقشه راه فعلی فرآیند 5 نانومتری در سال آینده تا حدودی ارتقاء خواهد یافت. بنابراین تا زمان به‌کارگیری فرآیند 3 نانومتری نسل آینده ناچارا بایستی تا سال 2022 منتظر بمانیم.

به‌دنبال افشای خبر تولید انبوه تراشه‌های 3 نانومتری در سال 2022 وبسایت Digitimes گزارش داد که کمپانی TSMC به‌دنبال آغاز تولید ورژن ارتقایافته فرآیند 3nm+ در سال 2023 است. تعجب‌آور نیست که اپل کماکان نخستین مشتری این تراشه‌ها به‌شمار خواهد رفت.

در صورت عدم تغییر الگوی نامگذاری مورد استفاده توسط اپل، تراشه A17 این شرکت در سال 2023 احتمالا در گوشی آی‌فون 15 به‌کار گرفته خواهد شد. البته پردازنده‌های سری M نیز یقینا در کامپیوترهای مک مورد استفاده قرار خواهند گرفت. در آن مقطع زمانی اپل دیگر کامپیوترهای مک با پردازنده‌های اینتلی را تولید نخواهد کرد.

بر اساس گزارشات پیشین تراشه‌های 3 نانومتری با 15 درصد افزایش کارآیی، 30 درصد کاهش مصرف انرژی و 70 درصد چگالی بیش‌تر نسبت به تراشه نسل قبلی تولید خواهد شد. اما پارامترهای ویژه تراشه‌های تولید شده با فرآیند +3nm کماکان در هاله‌ای از ابهام قرار دارند.

همچنین شایان به ذکر است که فرآیند 3 نانومتری TSMC کماکان از ترانزیستورهای دارای اثر میدانی از نوع FinFET استفاده خواهد کرد؛ در حالی‌که فرآیند 3 نانومتری شرکت سامسونگ از فناوری پیشرفته‌تر GAA مبتنی بر رویکرد ترانزیستور گیت فراگیر بهره خواهد برد. از این منظر TSMC معتقد است که فرآیند FinFET فعلی از نظر هزینه و بهره‌وری انرژی برتر ظاهر می‌شود. بنابراین نخستین مجموعه از تراشه‌های 3 نانومتری کماکان از فناوری ترانزیستور FinFET بهره‌برداری خواهند کرد. با این‌حال سامسونگ به‌عنوان رقیب قدیمی کمپانی TSMC به‌دنبال ارتقاء نسخه فعلی فرآیند 3 نانومتری است. بنابراین پیشرفت کمپانی و فناوری مورد استفاده توسط آن بسیار بنیادی و چشمگیر هستند. بدین‌ترتیب ترانزیستورهای FinFET کنار گذاشته شده و به منظور احاطه ترانزیستورهای گیت مستقیما از GAA استفاده می‌شود.

پیش‌تر و در ماه آوریل TSMC جزئیات مربوط به فرآیند 3 نانومتری آینده خود را منتشر کرد. در این‌حالت چگالی ترانزیستورها رکورد جدیدی را ثبت نموده و به رقم 250 میلیون در هر میلی‌متر مربع خواهد رسید. برای مقایسه جالب است بدانید که تراشه کایرین 990 5G با استفاده از فرآیند 7 نانومتری EUV شرکت TSMC تولید شد. اندازه این تراشه معادل 113.31 میلی‌متر مربع بود. همچنین تعداد ترانزیستورهای به‌کارگیری شده در این تراشه برابر با 10.3 میلیارد و متوسط چگالی ترانزیستورها معادل 90 میلیون بر میلی‌متر مربع بود. با این‌حال چگالی ترانزیستورها در فرآیند 3 نانومتری نسبت به فرآیند 7 نانومتری 3.6 برابر بیش‌تر است. این میزان چگالی ترانزیستورها با کاهش سایز یک پردازنده پنتیوم 4 به اندازه سوزن قابل مقایسه است.

منبع Gizchina
ممکن است شما دوست داشته باشید

نوشتن دیدگاه

آدرس ایمیل شما منتشر نخواهد شد.

دیدگاه شما پس از بررسی توسط تحریریه منتشر خواهد شد.

اینستاگرام آی‌تی‌رسان