کیهان کیانگ؛ مدیرعامل واحد دستگاه‌های تولیدی سامسونگ در جریان برگزاری جلسه اخیر این شرکت با سهام‌داران اعلام کرد که صنایع تولید نیمه‌هادی کمپانی سرگرم بهبود نرخ بازده خود برای گره‌های فرآیندی پیشرفته است.
این مدیر اجرایی در توضیحات خود خاطرنشان کرد که هر گره فرآیندی جدید دارای پیچیدگی‌های بیش‌تری بوده و بهبود نرخ بازدهی آن نیازمند زمان است. با این‌حال وی به جزئیات خاصی در این رابطه اشاره نکرد.
بر اساس گزارشات، نرخ بازدهی فرآیند 5 نانومتری مورد استفاده برای تولید تراشه اسنپ‌دراگون 8 نسل 1 تنها برابر با 35 درصد است؛ اگرچه کمپانی کره‌ای این موضوع را به‌طور رسمی مورد تائید قرار نداده است. این موضوع موجب قیمت‌گذاری بالا و تولید دشوار تراشه پرچم‌دار کوالکام می‌شود. تراشه بومی اگزینوس 2100 سامسونگ نیز توسط Samsung Foundry تولید می‌شود.
همچنین گزارشات نشان می‌دهند که سامسونگ در زمینه بازدهی تولید فرآیندهایی با مقیاس زیر 5 نانومتر از رقیب خود یعنی کمپانی TSMC عقب افتاده است. این پدیده احتمالا موجب می‌شود تا کوالکام از واگذاری تولید تراشه‌های 3 نانومتری خود به سامسونگ صرفنظر کرده و این مسئولیت مهم را به TSMC واگذار نماید.
مسیر سامسونگ به سوی فرآیند 5 نانومتری
شرکت اپل احتمالا بخش قابل‌توجهی از ظرفیت تولید 3 نانومتری TSMC را برای تراشه‌های آینده سری A و M خود رزرو نموده است. با این‌حال اپل تنها مشتری فرآیند تولید 3 نانومتری TSMC نبوده و به‌عنوان مثال شرکت AMD نیز روی توسعه پردازنده‌های 3 نانومتری با معماری Zen کار می‌کند.
برخی گمانه‌زنی‌ها نشان می‌دهند که کوالکام به‌زودی و طی سال جاری میلادی، کمپانی تولیدکننده طرف قرارداد خود را تغییر خواهد داد. در این میان افشاگران قابل اعتماد گزارش می‌دهند که کمپانی کوالکام در اواخر امسال بخشی از تولید تراشه اسنپ‌دراگون 8 نسل 1 را به TSMC انتقال خواهد داد. همچنین تراشه جدید اسنپ‌دراگون 8 نسل 1 پلاس نیز با استفاده از فرآیند تولید 4 نانومتری TSMC تولید خواهد شد.
