کمپانی TSMC ضمن برگزاری سمپوزیوم فناوری خود طی سال 2022 به تشریح جدول زمانی توسعه تراشه‌ها پرداخته است. کمپانی تایوانی تولیدکننده تراشه در صدد معرفی تراشه‌های 3 نانومتری طی 6 ماهه دوم سال جاری میلادی است و فناوری 2 نانومتری خود را در سال 2025 روانه بازارهای جهانی خواهد کرد.
گره 3 نانومتری در 5 رده مختلف تولید می‌شود و هر کدام از آنها از توانایی پردازشی بالاتر، طراحی ترانزیستوری متراکم‌تر و بهره‌وری بالاتر نسبت به دیگری برخوردار هستند. 5 رده مورد اشاره شامل N3S (Density Enhanced)، N3P (Performance Enhanced)، N3E (Enhanced)، N3 و N3X (Ultra High Performance) هستند.
فرآیند 2 نانومتری در مقایسه با فرآیند N3E در صورت استفاده از توان مصرفی مشابه بین 10 الی 15 درصد کارآمدتر ظاهر شده و در صورت به‌کارگیری تعداد ترانزیستور یکسان و فعالیت در فرکانس مشابه، میزان انرژی مصرفی آن بین 25 الی 30 درصد کمتر از گره N3E است. میزان چگالی ترانزیستور در فرآیند N2 تقریبا 1.1 برابر فرآیند N3E است.
TSMC پیش‌تر از ترانزیستورهای GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistors) رونمایی کرد. ترانزیستورهای نانوشیت جدید با کاهش سطح مقاومت، عملکرد در ازای هر وات را افزایش می‌دهند. در عین‌حال واحد تولید نیمه‌هادی شرکت سامسونگ موسوم به Samsung Foundry نیز تولید انبوه تراشه‌های 3 نانومتری را در سال 2022 آغاز خواهد کرد. همچنین این شرکت در تدارک آغاز تولید تراشه‌های 2 نانومتری طی سال 2025 است.
خیلی خوبه
با این تراشه‌ها در عین حال کع گوشیا قویترمیشن مصرف باتری کمتر میشه