سامسونگ به مناسبت آغاز عرضه نخستین مجموعه از تراشه‌های 3 نانومتری تولیدی خود با استفاده از ترانزیستورهای GAA، مراسم ویژه‌ای را برگزار کرد. این رویداد در سایتی که خط تولید V1 کمپانی در آن قرار دارد؛ برگزار شد. خط تولید مذکور در پردیس Hwaseong واقع در کره‌جنوبی مستقر شده است.
در این مراسم حدودا 100 نفر از جمله مقامات ارشد وزارت تجارت، صنعت و انرژی کره‌جنوبی و کلیه کارمندان کلیدی سامسونگ که در زمینه توسعه و سازمان‌دهی تولید انبوه تراشه‌های نسل جدید نقش‌آفرینی کردند؛ حضور داشتند. در جریان این رویداد، سامسونگ اهداف بلندپروازانه خود جهت پیشرفت فناوری‌های نوآورانه و تبدیل شدن به برترین تولیدکننده تراشه در جهان را تشریح کرد.
بر اساس اعلام Samsung Foundry، همکاری با 2 واحد دیگر سامسونگ، کمپانی‌های تولیدکننده و شرکای زیرساختی موجب شد تا توسعه فرآیند 3 نانومتری با موانع تکنولوژیک خاصی مواجه نشود.
سامسونگ نقل و انتقال نخستین مجموعه از تراشه‌های 3 نانومتری خود را آغاز کرد و نقطه عطف مهمی را در تاریخ فعالیت خود رقم زد
تراشه‌های 3 نانومتری سامسونگ از فناوری ترانزیستورهای GAA (Gate-All-Around) استفاده می‌کنند. این فناوری در مقایسه با تکنولوژی نسل قبلی FinFET از بهره‌وری انرژی بالاتر و عملکرد مطلوب‌تری برخوردار است. فناوری جدید جهت تولید پردازنده‌های طراحی شده برای سرورها، مراکز دیتاسنتر و چیپست‌های پیشرفته برای گوشی‌های هوشمند، تبلت‌ها، گجت‌های پوشیدنی، لپ‌تاپ‌ها، کامپیوترهای دسکتاپی و سایر تجهیزات الکترونیکی مورد استفاده قرار خواهد گرفت.
کمپانی فرآیند توسعه ترانزیستورهای GAA را در اوایل دهه 2000 آغاز کرد و در سال 2017 برای نخستین بار از آنها برای تولید تراشه‌های 3 نانومتری بهره برد. پس از سال‌ها تحقیق و آزمایش، تولید ایده‌های جدید آغاز شد. تراشه‌های 3 نانومتری تولیدی سامسونگ به‌طور خاص در اختیار یک کمپانی چینی فعال در حوزه ماینینگ قرار خواهد گرفت.
TSMC به‌عنوان رقیب اصلی سامسونگ در بازار تولید نیمه‌هادی‌های قراردادی، فرآیند ساخت تراشه‌های 3 نانومتری خود را در 3 ماهه چهارم سال 2022 آغاز خواهد کرد. این 2 کمپانی برای دریافت سفارشات تولید از مشتریانی نظیر AMD، انویدیا، مدیاتک، اپل و کوالکام با یکدیگر رقابت خواهند کرد. با این‌حال بی‌تردید طی هفته‌های آینده شاهد انتشار جزئیات بیش‌تری پیرامون توسعه تراشه‌های 3 نانومتری خواهیم بود.
