بر اساس اعلام نشریه Taiwan Economic Daily، وی ژجیا؛ ریاست کمپانی TSMC پیش‌تر اعلام کرد که وعده “تولید انبوه تراشه‌های 3 نانومتری در تایوان طی سال جاری میلادی” به‌زودی محقق خواهد شد. TSMC دعوتنامه‌های مربوط به این رویداد را در روز 23 دسامبر (2 دی ماه) ارسال کرد و مدعی شد که رویداد آغاز تولید انبوه تراشه‌های 3 نانومتری و توسعه کارخانه خود را طی روز پنج‌شنبه 29 دسامبر (8 دی ماه) در شهر Nanke برگزار خواهد کرد.
وی ژجیا در اجلاس قانونی ماه اکتبر امسال از پیشرفت مطلوب فرآیند تولید تراشه‌های 3 نانومتری خبر داد. وی مدعی شد که این تراشه‌ها از بازدهی مناسبی برخوردار بوده و تولید انبوه آنها در 3 ماهه چهارم سال 2022 آغاز خواهد شد. نیاز مشتریان به محاسبات پرسرعت و استفاده از اپلیکیشن‌های کاربردی روی گوشی‌های تلفن همراه، اهمیت توسعه تراشه‌های 3 نانومتری را برجسته‌تر می‌کند. در حال حاضر میزان تقاضا برای فناوری‌های نانومتری با مقیاس کوچکتر از ظرفیت موجود فراتر رفته است.
پیش از این وی ژجیا ضمن اظهاراتی در انجمن فنی اعلام کرد که فناوری 3 نانومتری TSMC با مشکلات غیرقابل توصیف دست‌به‌گریبان است. با این‌حال وی مدعی شد که تولید انبوه تراشه‌های 3 نانومتری به‌زودی آغاز شده و این تراشه‌ها کماکان ساختار ترانزیستوری FinFET را حفظ خواهند کرد. دلیل استفاده از فناوری فرآیندی FinFET این است که تکنولوژی مذکور نه‌تنها به لحاظ ظاهری مناسب به‌نظر می‌رسد؛ بلکه در عمل نیز کارآیی مطلوبی از خود ارائه می‌دهد.
بر اساس گزارشات، TSMC بارها اعلام کرده که در سال 2022 تولید انبوه تراشه‌های 3 نانومتری در شهر Nanke را آغاز خواهد کرد. کارخانه Nanke Wafer Facility 18 پایگاه تولیدی اصلی TSMC برای فرآیند 3 نانومتری به‌شمار می‌رود. فناوری فرآیند 3 نانومتری یکی دیگر از نسل‌های کامل و جدید پس از تکنولوژی 5 نانومتری (N5) قلمداد می‌شود.
خانواده 3 نانومتری شامل چندین ترکیب مختلف است. تولید انبوه تراشه‌های 3 نانومتری در سال 2022 آغاز خواهد شد. همچنین کمپانی تایوانی در صدد تولید انبوه فرآیند N3E در سال آینده و سپس تولید تراشه‌های N3P در سال 2024 است.
سامسونگ تولید تراشه‌های 3 نانومتری را پیش‌تر آغاز کرده است
پیش‌تر و در ماه جولای، سامسونگ الکترونیکس اعلام کرد که تولید انبوه تراشه‌های 3 نانومتری برای مشتریان نیازمند محاسبات با عملکرد بالا را آغاز کرده است. بدین‌ترتیب غول کره‌ای در این زمینه از رقیب تایوانی خود یعنی TSMC پیشی گرفت. در وهله نخست وبسایت Nikkei Asian Review گزارش می‌دهد که تصمیم سامسونگ برای آغاز تولید تراشه‌های 3 نانومتری در تاسیسات Hwaseong (که به‌طور سنتی در زمینه اشکال‌زدایی و تسلط بر لیتوگرافی جدید فعالیت می‌کند) نشان می‌دهد که حجم تولید چندان زیاد نخواهد بود. ثانیا برندهای چینی فعال در زمینه توسعه شتاب‌دهنده‌های تخصصی برای استخراج ارزهای دیجیتالی، نخستین مشتریان تراشه‌های 3 نانومتری ساخت سامسونگ به‌شمار می‌روند.
