نقشه راه واحد تولید نیمه‌هادی سامسونگ در اکتبر سال گذشته نشان داد که این شرکت، تولید انبوه تراشه با استفاده از گره فرآیندی 2 نانومتری خود را تا سال 2025 آغاز خواهد کرد. همچنین کار روی گره فرآیندی 1.4 نانومتری نیز از سال 2027 آغاز خواهد شد.
بر اساس گزارش وبسایت CNBC، امروز سامسونگ نقشه راه خود در زمینه تولید نیمه‌هادی‌ها را تائید کرد و در خصوص جزئیات مربوط به فرآیند تولید 2 نانومتری خود (که بهره‌برداری از آن 2 سال دیگر شروع می‌شود) توضیحاتی را ارائه داد.
در حال حاضر سامسونگ و رقیب آن یعنی TSMC تنها شرکت‌هایی هستند که فناوری فرآیند 3 نانومتری را در اختیار دارند. هزینه بالا ویفرهای مورد نیاز برای تولید این تراشه‌ها موجب شده تا استفاده از آنها در گوشی‌های هوشمند طی سال جاری میلادی صرفا به تراشه A17 Bionic محدود باشد. با معرفی گوشی‌های آیفون 15 پرو و آیفون 15 پرو مکس در ماه سپتامبر 2023 شاهد به‌کارگیری این تراشه جدید شرکت اپل خواهیم بود.
با کوچک‌تر شدن گره فرآیندی، اندازه المان‌های مورد استفاده درون تراشه از جمله ترانزیستورها کاهش پیدا می‌کند. کاهش اندازه ترانزیستورها بدان معناست که تعداد بیش‌تری از آنها می‌توانند درون تراشه قرار گیرند. افزایش تعداد ترانزیستورها نیز نهایتا به افزایش کارآیی و بهره‌وری انرژی در تراشه منتهی خواهد شد.
به‌عنوان مثال سری آیفون 11 از تراشه 7 نانومتری A13 Bionic با 8.5 میلیارد عدد ترانزیستور استفاده می‌کرد. گوشی‌های سری آیفون 14 پرو مجهز به تراشه A16 Bionic هستند. این نیمه‌هادی با استفاده از سومین ورژن ارتقایافته فرآیند 5 نانومتری (تحت عنوان فرآیند 4 نانومتری) توسط کمپانی TSMC تولید شده است. این تراشه‌ها دارای 16 میلیارد عدد ترانزیستور هستند.
سامسونگ در تلاش است تا با بازیگر برتر صنعت تراشه یعنی TSMC رقابت نماید. بر اساس تحقیقات موسسه Counterpoint، غول تایوانی در 3 ماهه نخست سال جاری میلادی 59 درصد درآمد جهانی ناشی از تولید نیمه‌هادی‌ها را به خود اختصاص داد. Samsung Foundry با کسب سهم 13 درصدی از درآمد جهانی، جایگاه دوم را به خود اختصاص داد. به باور برخی کارشناسان، اپل 25 درصد درآمد سالیانه TSMC را تامین می‌کند.
در حالی‌که شرکت‌های TSMC و Samsung Foundry در زمینه ساخت تراشه‌های 3 نانومتری فعالیت دارند؛ تراشه‌های سامسونگ از ترانزیستورهای Gate-All-Around (GAA) بهره می‌گیرند. این موضوع امکان ارتباط گیت با تمامی جوانب کانال را فراهم نموده و با کاهش نشت ولتاژ، جریان درایو بیش‌تری را ارائه می‌دهد. TSMC برای تراشه‌های 3 نانومتری خود از ترانزیستورهای FinFET استفاده می‌کند. در این ترانزیستورها، گیت از 3 طرف به کانال متصل است. با آغاز تولید تراشه‌های 2 نانومتری در سال 2025 توسط TSMC این شرکت به استفاده از ترانزیستورهای GAA روی خواهد آورد.
بر اساس اعلام سامسونگ نخستین تراشه‌های 2 نانومتری تولیدی این شرکت در سال 2025 برای استفاده در دستگاه‌های موبایلی مانند گوشی‌های هوشمند و تبلت‌ها طراحی خواهند شد. در سال 2026 گره فرآیندی 2 نانومتری برای استفاده در محاسبات با کارآیی بالا مورد بهره‌برداری قرار خواهد گرفت. در سال بعد این تراشه‌های پیشرفته برای استفاده در خودروها تولید خواهند شد.
همچنین سامسونگ اعلام کرده که با افزودن خطوط تولید در شهرهای پیونگ تاک کره‌جنوبی و تیلور ایالت تگزاس، ظرفیت تولید تراشه خود را افزایش خواهد داد.
