امروزه تراشه‌هایی با 100 یا حتی 150 میلیارد ترانزیستور در بازار موجود هستند. اگرچه چنین تراشه‌های قدرتمندی عمدتا از طراحی چیپلت بهره می‌گیرند.
با این‌حال کمپانی TSMC مدعی شده که تولید تراشه‌های یکپارچه با 200 میلیارد ترانزیستور در آینده‌ای نه‌چندان دور امکان‌پذیر خواهد بود.
در حال حاضر تولیدکننده تایوانی به شکلی جدی روی توسعه نسخه ارتقایافته فناوری فرآیندی 3 نانومتری و 2 نانومتری کار می‌کند؛ اما در عین‌حال تلاش‌ها برای توسعه فناوری فرآیندی با مقیاس کوچک‌تر کلاس 1 نانومتری نیز آغاز شده است.
بر اساس اعلام TSMC، فرآیندهای فنی N2 و N2P امکان تولید تراشه‌های یکپارچه با بیش از 100 میلیارد ترانزیستور را فراهم می‌کنند. همچنین طراحی چیپلت، استفاده از بالغ بر 500 میلیارد ترانزیستور را امکان‌پذیر خواهد کرد.
اما فرآیندهای فنی A14 و A10 به سازندگان امکان می‌دهند تا تراشه‌های یکپارچه بسیار قدرتمند با بیش از 200 میلیارد ترانزیستور را تولید نمایند. این در حالیست که طراحی چیپلت امکان به‌کارگیری بیش از یک تریلیون ترانزیستور را فراهم خواهد کرد. با این‌حال چنین محصولاتی در حوالی سال 2030 روانه بازار خواهند شد.
