امروزه چیپستهای تولیدی کمپانی مشهور کوالکام از جمله قدرتمندترین چیپهای موجود در بازار به حساب میآیند و سازندگان بسیاری داشتن یکی از این تولیدات را از مهمترین نقاط قوت محصولات خود میدانند. حال اخبار جدیدی از پردازنده آینده این کمپانی منتشر شده که نشان میدهد این چیپ با استفاده از تکنولوژیهای جدید، کارایی بهتری نیز خواهد داشت.
ماه گذشته بود که خبر رقابت سامسونگ و TSMC برای ساخت پردازنده بعدی کوالکام یعنی اسنپدراگون 845 در فضای مجازی منتشر شد. این چیپست با فناوری 7 نانومتری ساخته میشود و برای اولینبار روی پرچمدار کهکشانی آینده سامسونگ یعنی گلکسی اس 9 قرار خواهد گرفت. از آنجا که شایعات اوایل سال آینده را برای عرضه این پردازنده عنوان کردهاند، به نظر میرسد سامسونگ دوباره به چارچوب زمانی منظمی باز گردد و پرچمدار آینده خود را در کنگره جهانی موبایل سال 2018 معرفی کند. این کنفرانس هر ساله در روز 26 فوریه آغاز شده و معمولا بیشتر کمپانیهای سازنده اسمارتفون، بهترین و پرقدرتترین محصولات خود را در آن معرفی میکنند.
آخرین پردازنده کوالکام که میتوان آن را یکی از بهترین چیپستهای موجود در بازار دانست، اسنپدراگون 835 نام دارد که از معماری 10 نانومتری بهره میبرد. اگر معماری 7 نانومتری اسنپدراگون 845 را با فناوری 10 نانومتری این پردازنده مقایسه کنیم، خواهیم دید که با وجود کاهش اندازه تراشه که میتواند به کم شدن اندازه تلفن همراه نیز بیانجامد، عملکرد چیپست را از 25 درصد به 35 درصد افزایش میدهد.
سال آینده چیپستهای دیگری هم با معماری 7 نانومتری توسط شرکتهایی همچون: هواوی، مدیاتک و انویدیا، ساخته خواهند شد که باید دید در مقابل این پردازنده پرقدرت چه عملکردی از خود نشان میدهند.
هفته آینده، کمپانی کوالکام از تراشه میانرده اسنپدراگون 660 پردهبرداری خواهد کرد که انتظار میرود در اسمارتفونهایی همچون سری C کهکشانیهای سامسونگ، شیائومی ردمی PRO 2، شیائومی Mi Max 2، اوپو R11، ویوو X9 پلاس، نوکیا 7 و نوکیا 8 مورد استفاده قرار گیرد. این پردازنده، از 4 هسته کورتکس A73 با فرکانس 2.3 گیگاهرتز و 4 هسته کورتکس A53 با سرعت 1.9 گیگاهرتز تشکیل گشته و برای اتصال به اینترنت، مودم X10 را درون آن گنجانده شده است که از فناوری LTE پشتیبانی میکند. همچنین وظیفه انجام امور گرافیکی در این چیپ برعهده پردازنده آدرنو 512 قرار دارد. از جمله سایر مشخصات این چیپست میتوان به برخورداری از نسخه چهارم فناوری شارژ سریع و پشتیبانی از فناوری LPDDR4X با فرکانس 1866 مگاهرتز در بخش حافظه رم اشاره نمود. این پردازنده از حافظه داخلی UFS 2.1 پشتیبانی میکند.