گلکسی‌نوت 9 احتمالا از تراشه 7 نانومتری استفاده نخواهد کرد

به نظر می‌رسد شرکت سامسونگ کلیه شایعات پیرامون عرضه گوشی گلکسی‌نوت 9 با تراشه 7 نانومتری را زیر پا گذاشت؛ این تراشه‌ در هندست آی‌فون Xs پلاس که ظاهرا از نسل بعدی فرآیند تولید استفاده می‌کند، مشاهده خواهد شد.

سامسونگ اخیرا اعلام کرده که دومین نسل پردازنده‌های 10 نانومتری LPP که در گوشی گلکسی S9 با تراشه‌های اسنپ‌دراگون 845 و اگزینوس 9810 مشاهده می‌شوند، در حال ورود به مرحله تولید انبوه هستند. این موضوع در حالی مطرح شده است که کمپانی پیش‌تر و در ماه اکتبر از معماری 8 نانومتری به عنوان تنها فرآیند “آماده به تولید” یاد کرده بود.

بعلاوه سامسونگ اعلام کرده است که تولید تراشه‌های 10 نانومتری LPP توسط کارخانه جدید S3 این شرکت در کشور کره به پیش می‌رود؛ اما این موضوع برای فرآیند ساخت 7 نانومتری FinFET با فناوری EUV که به صورت انبوه در سایت S3 تولید خواهد شد، صادق نیست و با هیچ یک از وعده‌های جدول زمانی مطابقت ندارد. در آن زمان همگی ما تصور می‌کردیم این مسئله بدان معناست که در اواخر سال جاری پردازنده‌های 8 نانومتری LPP به صورت همزمان با فناوری 7 نانومتری EUV یا قبل از آن در تولید انبوه تراشه‌های اسنپ‌دراگون 845 و اگزینوس 9810 مورد استفاده قرار خواهند گرفت.

بر اساس اظهارات سامسونگ “در 3 ماهه اول انتظار می‌رود که درآمد ناشی از عرضه محصولات مجهز به نسل دوم پردازنده‌های 10 نانومتری برای اسمارت‌فون‌های پرچم‌دار سال جاری افزایش پیدا کند. با این‌حال زمانی که نوبت به رده‌های تولیدی سطح پایین‌تر می‌رسد، ظاهرا فرآیند 7 نانومتری در استراتژی تولید انبوه سال جاری جایی نخواهد داشت.”

“در سال 2018 شرکت سامسونگ فرآیندهای 8 نانومتری و 11 نانومتری را جهت پاسخگویی به نیازهای مشتریان ارایه نموده و فرآیند مخاطره‌آمیز تولید 7 نانومتری را نیز آغاز خواهد کرد.” اصطلاح ریسک تولید 7 نانومتری چیزی است که کمپانی TSMC سال گذشته آغاز کرده است؛ شرکتی که ظاهرا وظیفه تولید تراشه‌ آینده A12 اپل را بر عهده خواهد داشت. بنابراین احتمال زیادی وجود دارد که در زمینه تراشه، گوشی‌های آی‌فون 9، آی‌فون Xs و Xs پلاس بر اسمارت‌فون گلکسی‌نوت 9 چیره شوند؛ مگر آن‌که فبلت‌های سامسونگ با تراشه‌های 8 نانومتری به فروش برسند که تقریبا معادل با نمونه‌های 7 نانومتری تولید شده توسط کمپانی TSMC خواهند بود.

تحلیل‌گران صنعتی انتظار دارند که فرآیند 8 نانومتری سامسونگ “نسخه‌ای روان‌تر از  الگوی 7 نانومتری با استفاده از الگوسازی چندگانه است. “در حالت عمومی این موضوع بدان معناست که با شروع تولید تراشه‌های 7 نانومتری توسط سامسونگ، یقینا این تراشه‌ها در مقایسه با سایر نیمه‌هادی‌های 7 نانومتری از نسبت انرژی به بهره‌وری بالاتری برخوردار خواهند بود. در حالی‌که تراشه‌های 8 نانومتری در نیمه دوم سال یا حدودا در همین بازه زمانی تولید خواهند شد.

با عبور از فرآیند 10 نانومتری متوجه دشواری بی اندازه کاهش مقیاس معماری ساخت پردازنده ها خواهید شد. از این‌روی معماری های 10، 8 و 7 نانومتری برای مدت زمانی طولانی همراه ما خواهند بود و نهایتا ممکن است در سال 2018  شاهد پایان یافتن رقابت سالانه برای ایجاد شاخه های تولیدی جدید باشیم؛ موضوعی که به وسیله گوشی گلکسی S9 مصداق پیدا کرد.

علاوه بر این، کلیه فرآیندهای 7 نانومتری به صورت یکسان ایجاد نشده‌اند و لیتوگرافی EUV سامسونگ نسبت به نمونه سنتی نوری شرکت TSMC پیشرفته‌تر است؛ فرآیندی که توانمندی مشابه با فناوری سامسونگ دارد.

این موضوع شاید بتواندبه شایعات پیرامون رجوع اپل به سامسونگ جهت ساخت پردازنده های مورد نیاز خود پاسخ دهد. مسئله ای که به نظر می رسد در سال جاری تحقق پیدا نخواهد کرد؛ مگر اینکه سامسونگ با عرضه تراشه های 8 نانومتری اسنپدراگون یا اگزینوس تابستان شگفت انگیزی را برای ما رقم بزند و پس از عرضه گوشی گلکسی S9 شاهد ظهور این ویژگی در پرچمدار گلکسی نوت 9 باشیم.

هنگامی که نوبت به رویاپردازی در رابطه با معماری 7 نانومتری می رسد، ارائه این ویژگی در آینده قابل پیش بینی خواهد بود. لذا طی چند سال آینده زمان زیادی را برای لذت بردن از آن در اختیار خواهید داشت. مهاجرت به لیتوگرافی 5 نانومتری هزینه های بسیار گزافی را در مقیاس انبوه به دنبال دارد. بعلاوه در حال حاضر تراشه های امروزی عملکردی بسیار سریع دارند که تولیدکنندگان گوشی را قادر به گنجاندن ویژگی هایی ارزشمندی نظیر هوش مصنوعی و فیلمبرداری 4K با نرخ 60 فریم بر ثانیه در محصولاتشان نموده است. با اینحال عرضه گوشی گلکسی نوت 9 با تراشه 8 نانومتری را همچنان مدنظر داشته باشید.