Samsung Foundry و TSMC دو شرکت مستقل و برتر در زمینه تولید تراشه در جهان به‌شمار می‌روند. این شرکت‌ها طرح‌های مربوط به تراشه که توسط کمپانی‌هایی نظیر اپل، کوالکام، مدیاتک، انویدیا و سایرین تولید شده را انتخاب نموده و سپس آنها را به تراشههای پیشرفته مورد استفاده در اسمارت‌فون‌ها، خودروها و سایر محصولات تبدیل می‌کنند. در سال آینده هر 2 شرکت، تراشههای تولیدی خود با استفاده از جدیدترین فناوری فرآیند 3 نانومتری را به بازار عرضه خواهند کرد.
به‌طور معمول با کاهش مقیاس فرآیند تولید، تعداد ترانزیستورهای موجود در تراشه افزایش یافته و این موضوع موجب افزایش توان پردازشی و میزان بهره‌وری انرژی در چیپست خواهد شد. سامسونگ در راستای حرکت به سمت گره فرآیندی نسل آینده از جدیدترین طراحی ترانزیستوری خود موسوم به (Gate all-around (GAA استفاده خواهد کرد. این در حالیست که کمپانی TSMC برای تراشههای 3 نانومتری خود همچنان از طراحی قدیمی FinFET بهره خواهد برد. بر اساس برنامه‌ریزی‌ها، تراشههای 3 نانومتری در تعدادی از دستگاه‌های پرمخاطب از جمله هندست‌های سری آی‌فون 14 پرو اپل به‌کار گرفته شوند.
تراشههای 3 نانومتری سامسونگ از اندازه‌ای تا 35 درصد کوچک‌تر برخوردار بوده و ضمن کاهش حداکثر 50 درصدی میزان مصرف انرژی تا 30 درصد قدرتمندتر خواهند بود
استفاده از فرآیند 3 نانومتری با معماری GAA به سامسونگ امکان خواهد داد تا ضمن کاهش حداکثر 35 درصدی اندازه تراشه، کارآیی آن‌را تا 30 درصد ارتقاء داده و میزان مصرف انرژی را تا 50 درصد کاهش دهد.
جو بایدن؛ رئیس‌جمهور ایالات‌متحده در اوایل وقت روز جمعه گذشته از پردیس شرکت سامسونگ در کره‌جنوبی بازدید کرد. غول فناوری کره‌ای در جریان این بازدید، گره فرآیندی جدید خود را به معرض نمایش گذاشت. بر اساس اعلام خبرگزاری یونهاپ و به نقل از وبسایت Wccftech، این کارخانه بزرگ‌ترین تاسیسات تولید قطعات نیمه‌هادی در جهان محسوب می‌شود.
تصویری از یک ویفر که پس از برش خوردن به تراشههای پیشرفته‌ای تبدیل خواهد شد
لی جائه یونگ؛ نایب رئیس سامسونگ الکترونیکس در جریان بازدید آقای بایدن از این مرکز وی را همراهی کرد. یکی از مقامات سامسونگ که از فناوری تراشههای پیشرفته این شرکت آگاهی دارد؛ اعلام کرد: “سامسونگ به منظور نمایش برتری خود نسبت به TSMC در زمینه تولید قطعات نیمه‌هادی می‌تواند یک تراشه 3 نانومتری را مقابل دیدگان رئیس‌جمهور آمریکا قرار دهد.” این اظهارات در حالی مطرح شده که فرآیند تولید 4 نانومتری سامسونگ به‌دلیل بازدهی ضعیف حدودا 35 درصدی خود با مشکلات مختلفی مواجه بود. در واقع تنها 35 درصد تراشههای تولیدی با استفاده از این فرآیند از تست‌های کنترل کیفیت سربلند خارج شدند. در مقابل میزان بهره‌وری تولید فرآیند 4 نانومتری کمپانی TSMC حدودا 2 برابر بیش‌تر بود.
چنین وضعیتی موجب شد تا سامسونگ بخشی از سهم خود در بازار تولید تراشه را به رقیب تایوانی واگذار نماید. کوالکام تولید تراشه اسنپ‌دراگون 8 پلاس نسل 1 خود را به TSMC واگذار نموده و بر اساس پیش‌بینی‌ها تراشه پرچم‌دار نسل آینده موسوم به اسنپ‌دراگون 8 نسل 2 نیز توسط همین شرکت انجام خواهد شد. گزارشات پیشین نشان دادند که میزان بهره‌وری فرآیند تولید 3 نانومتری GAA سامسونگ حتی از بازده فرآیند 4 نانومتری این شرکت نیز کمتر است. اگرچه سامسونگ ادعا می‌کند که بازدهی فرآیند تولید خود را ارتقاء داده است.
سهم سامسونگ و TSMC از کسب‌وکار تولید نیمه‌هادی در جهان به‌ترتیب برابر با 18.3 و 52.1 درصد است
بر اساس اعلام موسسه Trend Force، سهم TSMC از بازار جهانی تراشه طی 3 ماهه چهارم سال میلادی گذشته برابر با 52.1 درصد بوده است. در مقابل طی همین دوره، سامسونگ سهم 18.3 درصدی از بازار را به خود اختصاص داده است. غول کره‌ای با نگاه به آینده در حال توسعه گره فرآیندی 2 نانومتری خود بوده و امیدوار است تا تولید انبوه این تراشه‌ها را تا سال 2025 آغاز نماید. TSMC احتمالا موقعیت برتر خود نسبت به Samsung Foundry را حفظ خواهد کرد؛ خصوصا اینکه اپل بزرگ‌ترین مشتری آن محسوب می‌شود. غول کوپرتینویی پیش‌تر ظرفیت تولید تراشههای 3 نانومتری TSMC را برای چیپست‌های سری A و M خود رزرو نموده است.
