کمپانی TSMC به‌دنبال ساخت تراشه‌های ۱ نانومتری با ۲۰۰ میلیارد ترانزیستور است

امروزه تراشه‌هایی با ۱۰۰ یا حتی ۱۵۰ میلیارد ترانزیستور در بازار موجود هستند. اگرچه چنین تراشه‌های قدرتمندی عمدتا از طراحی چیپلت بهره می‌گیرند.

با این‌حال کمپانی TSMC مدعی شده که تولید تراشه‌های یکپارچه با ۲۰۰ میلیارد ترانزیستور در آینده‌ای نه‌چندان دور امکان‌پذیر خواهد بود.

در حال حاضر تولیدکننده تایوانی به شکلی جدی روی توسعه نسخه ارتقایافته فناوری فرآیندی ۳ نانومتری و ۲ نانومتری کار می‌کند؛ اما در عین‌حال تلاش‌ها برای توسعه فناوری فرآیندی با مقیاس کوچک‌تر کلاس ۱ نانومتری نیز آغاز شده است.

بر اساس اعلام TSMC، فرآیندهای فنی N2 و N2P امکان تولید تراشه‌های یکپارچه با بیش از ۱۰۰ میلیارد ترانزیستور را فراهم می‌کنند. همچنین طراحی چیپلت، استفاده از بالغ بر ۵۰۰ میلیارد ترانزیستور را امکان‌پذیر خواهد کرد.

اما فرآیندهای فنی A14 و A10 به سازندگان امکان می‌دهند تا تراشه‌های یکپارچه بسیار قدرتمند با بیش از ۲۰۰ میلیارد ترانزیستور را تولید نمایند. این در حالیست که طراحی چیپلت امکان به‌کارگیری بیش از یک تریلیون ترانزیستور را فراهم خواهد کرد. با این‌حال چنین محصولاتی در حوالی سال ۲۰۳۰ روانه بازار خواهند شد.

دیدگاه‌ خود را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

به بالا بروید