شرکت سامسونگ از تولید نخستین تراشه حافظه 1 ترابایتی eUFS 2.1 (حافظه فلش تعبیه‌شده)، خبر داد. در حال حاضر این تراشه به تولید انبوه رسیده است و انتظار داریم نسل بعدی گوشی‌های هوشمند از این ویژگی بهره‌مند شوند. به احتمال زیاد سامسونگ گلکسی S10، اولین گوشی هوشمندی خواهد بود که این تراشه در آن تعبیه می‌شود.
حافظه 1TB eUFS دقیقاً هم‌اندازه تراشه 512GB طراحی شده است که تقریبا برابر با 11.5 در 13 میلی‌متر است. این تراشه با داشتن 16 لایه ذخیره‌سازی از پیشرفته‌ترین حافظه‌های فلش V-NAND و یک کنترل‌کننده اختصاصی، توانسته است ظرفیتی دو برابر نسخههای قبلی ایجاد کند.
سرعت کار حافظه 1TB eUFS هم به‌صورت استثنایی بالا رفته است و به‌این‌ترتیب کاربران میتوانند حجم بزرگی از فایلهای چندرسانهای را در زمانی بسیار کم به گوشی خود منتقل کنند. سرعت انتقال این حافظه، 1000 مگابایت بر ثانیه یعنی تقریباً دو برابر سرعت خواندن در یک حافظه SATA SSD 2.5 اینچی است. سرعت نوشتن ترتیبی آن نیز 260 مگابایت بر ثانیه برآورد شده است که چنین سرعتی بسیار تحسین برانگیز است. به‌طور کلی می‌توان گفت سرعت خواندن تصادفی تراشه 1 ترابایتی در مقایسه با نسخه 512 گیگابایتی، تا 38 درصد افزایش یافته است.
مقایسه عملکرد حافظه‌های داخلی مختلف:
| حافظه | سرعت خواندن ترتیبی | سرعت نوشتن ترتیبی | سرعت خواندن تصادفی | سرعت نوشتن تصادفی |
| 1TB eUFS 2.1 | 1000 MB/s | 260 MB/s | 58,000 IOPS | 50,000 IOPS |
| 512GB eUFS 2.1 | 860 MB/s | 255 MB/s | 42,000 IOPS | 40.000 IOPS |
| 256GB UFS Card | 530 MB/s | 170 MB/s | 40,0000 IOPS | 35.000 IOPS |
| 256 eUFS 2.0 | 850 MB/s | 260 MB/s | 45,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| 128GB eUFS 2.0 | 300 MB/s | 150 MB/s | 19,000 IOPS | 14,000 IOPS |
