همان‌طور که در اوایل این هفته توسط Korean Maeil Economy گزارش شد، سامسونگ موفق شده تا به اولین نمونه آزمایشی فرآیند تولید 3 نانومتری دست یابد. سامسونگ در نظر دارد تا سال 2030، به بزرگ‌ترین تولیدکننده نیمه‌هادی در جهان تبدیل شود.
فرآیند تولید 3 نانومتری بر اساس فناوری Gate All Around یا به اختصار GAAFET شکل می‌گیرد. این شکل از تولید با فرآِیند استاندارد FinFET متفاوت خواهد بود. این تغییر موجب می‌شود تا اندازه واحدهای سیلیکونی تا 35 درصد و مصرف انرژی نیز تا 50 درصد کاهش یابد. این فناوری همچنین باعث می‌شود تا نسبت به فرآِیند 5 نانومتری FinFET، شاهد بهبود 33 درصدی در عملکرد باشیم.
طراحی GAAFET به طرز قابل‌توجهی متفاوت از طراحی FinFET است. طراحی GAAFET بر مبنای کانال‌های چهار طرفه بوده که این موضوع باعث می‌شود تا تلف شدن انرژی کاهش یابد. این فرآیند باعث می‌شود تا تولیدکنندگان کنترل بیشتری بر کانال‌ها داشته باشند. این مهم، یک قدم اساسی در هنگام تقسیم گره فرآیندها است. این معماری امکان طراحی ترانزیستورهای بهینه‌تر را می‌دهد. این موضوع به همراه گره‌های فرآیند کوچک‌تر باعث می‌شود تا نسبت به فرآیند 5 نانومتری FinFET و به ازای هر وات مصرفی، شاهد جهش عظیمی در عملکرد باشیم.
سامسونگ اعلام کرده که فرآیند 4 نانومتری GAAFET را در سال 2020 به‌کار خواهد گرفت. البته معاون مؤسسه Gartner یعنی پروفسور ساموئل وانگ (Samuel Wang) شک دارد که تراشه‌های GAAFET تا سال 2022 به تولید انبوه برسند. به هر حال، وانگ اخیرا گفته که به نظر می‌رسد سامسونگ بتواند زودتر از آنچه که ناظران این صنعت انتظار داشته‌اند، تراشه‌های GAAFET را به تولید برساند. این ایده در ابتدا بسیار بلندپروازانه به نظر می‌رسید. حال اگر سامسونگ مشغول کار بر روی نمونه آزمایشی فرآیند 3 نانومتری باشد، این موضوع می‌تواند نشان‌دهنده این مهم باشد که این غول کره‌ای بیشتر از انتظارات اولیه به این فناوری نزدیک شده است.
یک سال پیش؛ یعنی زمانی که سامسونگ کار بر روی فرآیند 3 نانومتری GAAFET را آغاز کرد، این‌گونه برنامه‌ریزی شده بود که این فرآیند در سال 2021 به تولید انبوه برسد. این اقدام به دنبال تبلیغ فرآیند 7 نانومتری شرکت AMD رخ داده است. AMD این فرآِیند را در تولید پردازنده‌های سری Ryzen 3000 خود به‌کار می‌گیرد.
