با نزدیک شدن به زمان عرضه احتمالی گوشی‌های تاشو نسل آینده سامسونگ، اکنون جزئیات بیش‌تری پیرامون گلکسی زد فلیپ 4 در فضای اینترنت منتشر شده است. آخرین مورد به مدل تراشه و ظرفیت باتری به‌کارگیری شده در این اسمارت‌فون مربوط می‌شود؛ مشخصه‌هایی که در 2 فهرست جدید مورد اشاره قرار گرفته‌اند.
در نخستین مورد دستگاه Samsung SM-F721U که ظاهرا همان گلکسی زد فلیپ 4 است؛ با تراشه معرفی نشده اسنپ‌دراگون 8 نسل 1 پلاس در پایگاه داده گیک‌بنچ رویت شده است. بر اساس اطلاعات مندرج در فهرست، تراشه مورد استفاده در این هندست از اسم رمز Taro استفاده نموده و دارای حداکثر سرعت فرکانس 3.19 گیگاهرتزی است. این فرکانس احتمالا متعلق به هسته پردازشی بسیار قدرتمند ARM Cortex-X2 خواهد بود. همچنین 3 هسته پردازشی دیگر نیز احتمالا از نوع ARM Cortex-A710 بوده و با فرکانس 2.75 گیگاهرتزی عمل خواهند کرد. نهایتا 4 هسته پردازشی کم‌مصرف نیز باید فرکانس 1.8 گیگاهرتزی فعالیت می‌کنند.
دستگاه گلکسی زد فلیپ 4 رویت شده در فهرست گیک‌بنچ مجهز به 8 گیگابایت حافظه رم بوده و سیستم‌عامل اندروید 12 را اجرا می‌کند. این هندست در تست‌های پردازش تک هسته‌ای و چندهسته‌ای گیک‌بنچ به‌ترتیب امتیازات 1277 و 3642 را کسب کرده است.
گلکسی زد فلیپ 4 اخیرا در پایگاه داده 3C رویت شد. بر این اساس ظرفیت نامی باتری این هندست برابر با 3595 میلی‌آمپرساعت است. این اسمارت‌فون دارای باتری با 2 سلول مجزای 2555 میلی‌آمپرساعتی (و پارت نامبر EB-BF723ABY) و 1040 میلی‌آمپرساعتی (و پارت نامبر EB-BF724ABY) خواهد بود.
رندر سامسونگ گلکسی زد فلیپ 4
اکنون بایستی منتظر بمانیم و ببینیم که نرخ ظرفیت معمول باتری به چه صورت خواهد بود. صرفنظر از عدد حقیقی میلی‌آمپرساعت، استفاده از باتری بزرگ‌تر احتمالا با استقبال قابل‌توجه کاربران مواجه خواهد شد؛ چرا که شارژدهی باتری گلکسی زد فلیپ 3 چندان رضایت‌بخش نبود.
سامسونگ گلکسی زد فلیپ 4 در پایگاه داده گیک‌بنچ
سامسونگ گلکسی زد فلیپ 4 در پایگاه داده 3C
