ایسوس راگ‌فون 6 با تراشه اسنپ‌دراگون 8 پلاس نسل 1 در گیک‌بنچ رویت شد

با توجه به اطلاعات به دست آمده تا به این لحظه می دانیم که تراشه اسنپ‌دراگون 8 پلاس نسل 1 مهم‌ترین پیشرفت گوشی ایسوس راگ‌فون 6 نسبت به مدل نسل قبلی آن محسوب می‌شود. جهت یادآوری بایستی خاطرنشان کرد که ایسوس راگ‌فون 5 با تراشه اسنپ‌دراگون 888 پلاس طی سال گذشته روانه بازار شد. اکنون گوشی گیمینگ جدید در پایگاه داده گیک‌بنچ رویت شده و فهرست امتیازات کسب شده توسط آن نیز منتشر شده است.

نتایج تست بنچمارک تراشه اسنپ‌دراگون 8 پلاس نسل 1 پیش‌تر منتشر شده است. با این‌حال دستگاه راگ‌فون تست شده یک نمونه مهندسی و نه ورژن مخصوص خرده فروشی به‌شمار می‌رفت. این موضوع واقعیت داشته و امتیازات پیش‌تر کسب شده در مقایسه با نتایج کنونی کمی بالاتر هستند.

این مدل خاص از ایسوس راگ‌فون 6 مجهز به 16 گیگابایت حافظه رم بود. مدل پیش‌تر رویت شده در پایگاه داده TENAA از حافظه رم 18 گیگابایتی برخوردار بوده و پیشرفته‌ترین ورژن به‌شمار می‌رود. بعلاوه عرضه مدل‌هایی با 12 یا حتی 8 گیگابایت رم نیز چندان دور از انتظار نخواهد بود.

به هرحال پردازنده گرافیکی جدید آدرنو 730 در مقایسه با نمونه موجود در ورژن استاندارد تراشه اسنپ‌دراگون 8 نسل 1 تقریبا 10 درصد سریع‌تر است. این موضوع امکان دستیابی به نرخ فریم‌های بالاتر را فراهم می‌کند. با این‌حال میزان این افزایش هنوز مشخص نیست؛ چرا که تست گیک‌بنچ صرفا به ارزیابی عملکرد CPU می‌پردازد. البته ایسوس تائید کرده که هندست جدید مجهز به یک نمایشگر 165 هرتزی خواهد بود؛ در حالی‌که 2 مدل نسل قبلی از پنل‌های 144 هرتزی استفاده می‌کنند.

برگه امتیازات ایسوس راگ‌فون 6 با شماره مدل ASUS_Al2201_F در پایگاه داده گیک‌بنچ

صرفنظر از این موارد انتظار می‌رود که هندست جدید از همان نمایشگر 6.78 اینچی و باتری 6000 میلی‌آمپرساعتی با فناوری شارژ سریع 65 واتی بهره‌برداری نماید.

 

امتیازات ثبت شده توسط دستگاه مهندسی شرکت ایسوس در تست گیک‌بنچ 5

ایسوس راگ‌فون 6 طی روز 5 جولای (14 تیر ماه) و با برگزاری رویدادهایی در شهرهای تایپه، برلین و نیویورک رسما معرفی خواهد شد.

ایسوس راگ‌فون 6 مجهز به نمایشگر 165 هرتزی و سیستم خنک‌کننده ارتقایافته خواهد بود

دیدگاه‌ خود را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

اسکرول به بالا
TCH