با پیشرفت صنعت تولید تراشه، آرزوهای جاه‌طلبانه اینتل نیز بیش‌تر می‌شوند. این شرکت قصد دارد که تا سال 2030 تراشه‌ای با 1 تریلیون ترانزیستور را تولید نماید. بر اساس قانون مور که توسط شرکت‌های Fairchild Semiconductor و اینتل توسعه یافته است؛ تعداد ترانزیستورهای به‌کارگیری شده در تراشه‌ها هر ساله بایستی 2 برابر شود.
اما با گذشت زمان، وضعیت دشوارتر شد و سرعت 2 برابر شدن تعداد ترانزیستورهای درون تراشه‌ها به 3 سال کاهش پیدا کرد. اکنون به‌نظر می‌رسد که یک ارتقاء عملکردی بزرگ برای تراشه‌های اینتل در راه است؛ چرا که پت گلسینگر؛ مدیرعامل کمپانی تائید کرده که اینتل تا سال 2031 می‌تواند از سرعت قانون مور نیز پیشی بگیرد.
به بیان دقیق‌تر، مدیرعامل اینتل درباره پیشبرد مفهوم قانون سوپر مور (Super Moore’s Law) یا قانون مور 2.0 (Moore’s Law 2.0) برای افزایش تعداد ترانزیستورهای تراشه‌ها صحبت کرد. TSMC و Samsung Foundry در عرضه تراشه‌های جدید اینتل که بر پایه گره فرآیندی 2 نانومتری تولید می‌شوند؛ نقشی استثنائی را ایفا خواهند کرد. در این میان حتی کوالکام نیز تولید تراشه‌های خود را به شرکت‌های Samsung Foundry و TSMC واگذار می‌کند.
آقای گلسینگر در طول سخنرانی خود گفت: “من تصور می‌کنم که از زمان اعلام مرگ قانون مور حدودا 3 تا 4 دهه گذشته است.” این اظهارات اگرچه احتمالا صحیح به‌نظر می‌رسند؛ اما در عین‌حال وی اعتراف کرد که عصر طلایی قانون مور به پایان رسیده است. مدیرعامل اینتل در ادامه افزود: “ما دیگر در دوران طلایی قانون مور قرار نداریم. پیشبرد این قانون در شرایط کنونی بسیار بسیار دشوارتر است. بنابراین در حال حاضر احتمالا هر 3 سال یکبار شاهد رشد موثر 2 برابری تعداد ترانزیستورهای درون تراشه‌ها خواهیم بود. لذا بی‌تردید سرعت اجرای قانون مور کاهش یافته است.”
به‌دنبال پیشرفت‌های آینده شرکت اینتل تا سال 2030 می‌تواند به عدد جادویی 1 تریلیون ترانزیستور روی یک تراشه دست پیدا کند. این نخستین بار نیست که مدیران اینتل به چنین پیشرفت بزرگی اشاره می‌کنند. در این میان حتی Ann Kelleher؛ معاون اجرایی و مدیرکل توسعه فناوری اینتل نیز مدعی شده که با پیشرفت قانون مور، روند مقیاس‌بندی سنتی کندتر شده است.
اینتل با وجود چند فناوری مختلف می‌تواند تراشه‌ای با یک تریلیون ترانزیستور را تولید نماید. هدف این شرکت استفاده از تکنیک پکیجینگ پیشرفته و ادغام ناهمگن برای به‌کارگیری ترانزیستورهای بیش‌تر در یک تراشه است. بعلاوه اینتل قصد دارد تا از معماری RibbonFET بهره‌برداری نماید. سامسونگ برای تولید تراشه‌های 3 نانومتری از این معماری استفاده می‌کند. این معماری هر 4 طرف ترانزیستور را تحت پوشش قرار داده و شدت نشت جریان را کاهش می‌دهد.
همچنین PowerAI Power Delivery راهکار دیگری است که خطوط منبع تغذیه را به پشت تراشه منتقل نموده و عملکرد آن‌را بهبود خواهد داد. با این‌حال پیشرفت‌های مورد اشاره هزینه هنگفتی را بر اینتل تحمیل خواهند کرد. آقای گلسینگر نیز در همین رابطه اعلام کرد: “7 یا 8 سال پیش خریداری تجهیزات مونتاژ مدرن حدودا 10 میلیارد دلار هزینه داشت؛ اما اکنون این رقم به حدود 20 میلیارد دلار افزایش یافته است. بنابراین شما شاهد تغییری واضح در حوزه اقتصادی هستید.”
