شرکت سامسونگ در اوایل ماه جاری میلادی اعلام کرد که آماده‌سازی خطوط مونتاژ برای تولید انبوه تراشه‌های 3 نانومتری اگزینوس بر پایه طراحی Gate-All-Around (GAA) را آغاز کرده است.
با این‌حال مشخص نیست که این تراشه با چه نامی روانه بازار خواهد شد. اولین تراشه 3 نانومتری سامسونگ می‌تواند با نام اگزینوس 2500 عرضه شده و نخستین بار در سری گلکسی S25 مورد استفاده قرار گیرد. همچنین تراشه اگزینوس W1000 که تا چند ماه دیگر با سری گلکسی واچ 7 عرضه می‌شود نیز احتمالا از معماری 3 نانومتری برخوردار خواهد بود.
بعلاوه سامسونگ به آینده نیز نیم‌نگاهی دارد؛ چرا که وبسایت ETNews گزارش می‌دهد که سامسونگ کار روی تراشه 2 نانومتری اگزینوس 2600 با اسم رمز Thetis را آغاز کرده است. انتظار می‌رود که تولید انبوه این نیمه‌هادی در نیمه دوم سال 2025 آغاز شده و تراشه مذکور تا زمان عرضه سری گلکسی S26 آماده بهره‌برداری باشد.
برخی گزارش‌ها نشان می‌دهند که کوالکام برای تولید تراشه اسنپدراگون 8 نسل 4 کماکان از گره فرآیندی 4 نانومتری استفاده خواهد کرد. این موضوع موجب برتری تراشه اگزینوس 2500 نسبت به رقیب کوالکامی خود خواهد شد.
برخی گزارش‌های دیگر نشان می‌دهند که تراشه اسنپدراگون 8 نسل 4 با استفاده از نسخه جدیدتر گره فرآیندی 3 نانومتری کمپانی TSMC موسوم به N3E تولید خواهد شد. بر اساس گزارش‌ها اپل 90 درصد ظرفیت تولید تراشه‌های 3 نانومتری TSMC طی سال گذشته را به خود اختصاص داد. با این‌حال تقاضا برای سال جاری میلادی احتمالا کاهش یافته و در نتیجه برنامه‌ها تا حدودی دستخوش تغییر خواهند شد.
به هرحال یک رسانه خبری تایوانی ادعا کرده که تراشه اسنپدراگون 8 نسل 4 برای گلکسی از سال 2025 بر پایه گره فرآیندی 3 نانومتری GAA Plus یا همان GAP سامسونگ تولید خواهند شد.
همچنین TSMC روی توسعه گره فرآیندی 2 نانومتری کار می‌کند؛ اما خطوط تولید این شرکت احتمالا به ساخت تراشه‌های مورد نیاز آیفون 17 پرو و برخی مدل‌های مک اختصاص خواهند یافت. سری آیفون 17 در سال 2026 عرضه می‌شود؛ بنابراین در آن زمان شاهد شکل‌گیری نبرد 2 نانومتری میان شرکت‌های اپل و سامسونگ خواهیم بود.
