واحد تولید نیمه‌هادی سامسونگ موسوم به Samsung Foundry اعلام کرده که تولید تراشه‌های نسل اول خود مبتنی بر گره فرآیندی 3 نانومتری را آغاز نموده است. این تراشه‌ها بر پایه معماری جدید ترانزیستورها موسوم به Gate-All-Around (GAA) تولید می‌شوند. معماری GAA در مقایسه با FinFET یک گام جدیدتر و پیشرفته‌تر قلمداد می‌شود.
نخستین نسل تراشه‌های 3 نانومتری سامسونگ در مقایسه با مدل‌های 5 نانومتری از حداکثر 23 درصد عملکرد بهتر، 45 درصد مصرف انرژی کمتر و 16 درصد مساحت کمتر برخوردار هستند. دومین نسل از فرآیند 3 نانومتری سامسونگ به‌مراتب پیشرفته‌تر از نسل فعلی خواهد بود. بر اساس اعلام سامسونگ، تراشه‌های تولید شده با استفاده از این معماری از 50 درصد مصرف انرژی کمتر، حداکثر 30 درصد عملکرد بهتر و 35 درصد اندازه کوچک‌تر برخوردار خواهند بود.
در حال حاضر سامسونگ از TSMC پیشی گرفته است. بر اساس پیش‌بینی‌ها کمپانی تایوانی تولید انبوه تراشه‌های 3 نانومتری را در 6 ماهه دوم سال جاری میلادی آغاز خواهد کرد. طراحی ترانزیستور با استفاده از معماری GAA به شرکت‌های تولیدکننده تراشه امکان می‌دهد تا بدون آسیب رساندن به توانایی حمل جریان توسط ترانزیستورها اندازه آنها را کاهش دهند. طراحی GAAFET مورد استفاده در فرآیند 3 نانومتری از ساختار MBCFET مطابق تصویر زیر استفاده می‌کند.
سیر تکامل ترانزیستورهای سیلیکونی
