بنچمارک گوشی ایسوس راگ‌فون 2 Ultimate Edition با تراشه اسنپ‌دراگون 855 پلاس منتشر شد

دنیای تراشه‌های موبایلی همواره ماهیتی نسبتا منحصربه‌فرد داشته است. در واقع هر ساله، تراشه‌های تولید شده در دنیای ARM برخلاف تراشه‌های محاسباتی مرسوم‌تر نظیر نمونه‌های به‌کارگیری شده در کامپیوترهای شخصی از تنوع بالایی برخوردار نیستند. بدین‌ترتیب کاربران با طیف گسترده‌ای از هندست‌های پرچم‌دار رقیب که معمولا مجهز به تراشه‌های کوالکامی کاملا مشابهی هستند؛ سروکار خواهند داشت. اکنون سال‌هاست که چنین وضعیتی بر بازار حکم‌فرما شده است.

بنابراین در این دریای کاملا یکنواخت، چگونه می‌توان یک گوشی گیمینگ را با وجود مشخصات داخلی کاملا مشابه رقبای غالبا ارزان‌قیمت‌تر خود به‌معنای واقعی کلمه از سایرین متمایز کرد؟ بدین منظور یقینا به سراغ مشخصه‌هایی فراتر از سریع‌ترین تراشه موجود خواهیم رفت. در این میان برخی جوانب دیگر نظیر مدیریت CPU، منحنی‌های عملکردی و مهم‌تر از همه، کیفیت مدیریت حرارتی را مدنظر قرار خواهیم داد. مدیریت دما بر روی نتایج عملکرد اسمارت‌فون‌ها در دنیای واقعی تاثیر بسزایی دارد.

ایسوس و تولیدات سری Republic of Gamers این کمپانی در زمینه دریافت بیش‌ترین کارآیی ممکن از تراشه‌های ARM حقیقتا یک سر و گردن بالاتر از رقبای خود قرار دارند. در واقع نسخه اولیه راگ‌فون از برترین یا اصطلاحا سریع‌ترین نسخه تراشه‌های اسنپ‌دراگون 845 بهره برد. این تراشه از طریق خوشه‌‌بندی هسته‌‌های قدرتمند خود با حداکثر فرکانس 2.96 گیگاهرتز فعالیت می‌کرد؛ در حالی‌که نمونه معمولی تراشه کوالکامی از فرکانس 2.8 گیگاهرتز برخوردار بود. تراشه مذکور اساسا یک پردازنده اورکلاک شده توسط کمپانی بود و در آن مقطع زمانی به‌عنوان یک ایده نسبتا جدید در صنعت اسمارت‌فون قلمداد شد.

امسال کوالکام شخصا چنین ایده‌ای را یک گام دیگر ارتقا داد و از تکنیک خوشه‌بندی سرعتی و اورکلاک پردازنده بهره برد. نتایج چنین رویکردی به تولید تراشه اسنپ‌دراگون 855 پلاس منجر شد. طبیعتا ایسوس برای گوشی بی‌رقیب راگ‌فون 2 Ultimate Edition خود به سراغ این تراشه خواهد رفت. بهترین مدل 20 لایه‌ای این تراشه، محصولی به‌مراتب خاص‌تر خواهد بود. این مدل نخستین تراشه 855 پلاس ارایه شده توسط کمپانی به‌شمار می‌رود؛ لذا همگی برای تست این تراشه جدید و مقایسه میزان برتری عملکردی آن نسبت به برادر معمولی خود مشتاق هستند.

نسخه معمولی تراشه اسنپ‌دراگون 855، تراشه‌های اگزینوس 9820 و 9825 ساخت سامسونگ و پردازنده کایرین 980 هواوی از جمله رقبای منتخب برای راگ‌فون II به‌شمار می‌روند. راگ‌فون 2 همانند اکثر گوشی‌های گیمینگ مجهز به حالتی با کارآیی بالا (Performance Mode) بوده و این‌بار حالت مذکور، X Mode نام‌گذاری شده است. پروفایل X Mode بسته به میزان کارآیی موردنظر کاربر از تنظیمات پیش‌فرض انگشت‌شماری بهره می‌گیرد. در تست‌های اجرا شده توسط کارشناسان وب‌سایت GsmArena از تنظیمات پیش‌فرض استفاده شده است. در واقع عملکرد حالت X Mode کمی پیچیده‌تر از ارتقاء محض فرکانس پردازنده خواهد بود. در عوض این پروفایل تلاش می‌کند تا دستگاه، بهترین عملکرد روان را ارائه نموده و در عین‌حال با مشکلات حرارتی اجتناب‌ناپذیر مواجه نشود.

مطابق روال معمول، ابتدا به بررسی تست عملکردی مستقل CPU و اطلاعات بنچمارک گیک‌بنچ می‌پردازیم. اختلاف موجود میان امتیازات محاسباتی خام نسبتا ناچیز است. با این‌حال فعال‌سازی حالت X Mode و نصب فن‌های فعال خارجی در دنیای واقعی، تفاوت محسوسی را در عملکرد پیوسته راگ‌فون 2 رقم خواهد زد.

در ادامه به بررسی پنل اولد 120 هرتزی چشمگیر گوشی می‌پردازیم. کلیه امتیازات بنچمارک مربوط به اجزاء نمایش‌دهنده تصویر، حقیقتا از اهمیت بسیار بالایی برخوردار هستند. در واقع کلیه تست‌هایی که به‌طور معمول اجرا می‌شوند؛ به تعداد فریم‌های نمایش داده شده در هر ثانیه هیچ‌گونه اشاره‌ای نمی‌کنند. پردازنده گرافیکی اورکلاک شده آدرنو 640 که در تراشه اسنپ‌دراگون 855 پلاس مورد استفاده قرار گرفته است به اندازه‌ای قدرتمند است که توان پردازشی آن در برخی تست‌های خاص از مرز 60 فریم‌برثانیه نیز فراتر خواهد رفت. همچنین نمایشگر نیز به منظور نمایش فریم‌های بیش‌تر از نرخ نوسازی بالاتری برخوردار خواهد بود. این در حالیست که نمایشگر 120 هرتزی راگ‌فون 2 به امتیازی بسیار بالاتر دست پیدا می‌کند. در ادامه نتایج تست اجزای گرافیکی در آنتوتو 8 با نمایشگر 120 هرتزی بدون فعال‌سازی حالت X Mode و سپس در حالت 60 هرتزی به نمایش گذاشته شده است. یک بنچمارک ترکیبی دیگر با نام Basemark OS 2.0 نیز نتایج مشابهی را ارایه می‌دهد.

همان‌طور که قبلا اشاره شد؛ پردازنده گرافیکی اورکلاک شده آدرنو 640 در گوشی راگ‌فون 2 با فرکانس 700 مگاهرتزی خود به اندازه‌ای قدرتمند است که می‌تواند رکورد پردازش 60 فریم برثانیه‌ای در برخی تست‌های بنچمارک نظیر GFX Manhattan 3.1 را بشکند. به همین دلیل، اگرچه امتیازات مستقل از نمایشگر این هندست بیانگر عملکرد قابل مقایسه آن با سایر دستگاه‌های ارائه شده در نمودار هستند؛ اما این موضوع در خصوص تست نمایشگر کاملا صادق نیست. در این حالت، نمایشگر 120 هرتزی راگ‌فون 2 برتری 69 فریم‌برثانیه‌ای دستگاه را رقم خواهد زد.

افزایش بار پردازشی GPU از طریق روش‌هایی نظیر تست جدید Aztek، نتایج تست نمایشگر را به ارقامی قابل مقایسه بازمی‌گرداند؛ چرا که حتی با وجود GPU ارتقایافته 700 مگاهرتزی آدرنو 640، رکورد پردازش 60 فریم‌برثانیه‌ای غیر قابل دسترس خواهد بود. البته همان‌طور که پیش‌تر اشاره شد؛ توان مضاعف این پردازنده در مقایسه با نسخه معمولی GPU آدرنو ابدا قابل چشم‌پوشی نخواهد بود.

تست 3DMark SSE نیز برتری نرخ نوسازی 120 هرتزی و توان بالای GPU را در قالب ارقامی قابل‌توجه توصیف می‌کند.

افزایش تعداد اسمارت‌فون‌های مجهز به نمایشگرهایی با نرخ نوسازی بیش از 60 هرتز موجب جهش قابل‌توجه موتورهای گرافیکی بازی‌ها و اپلیکیشن‌هایی با توان پردازش بیش از 60 فریم‌برثانیه خواهد شد و این پدیده یقینا مسرت‌بخش خواهد بود. دستیابی به نرخ‌های نوسازی بسیار بالا کماکان مستلزم برخی اقدامات بیش‌تر است؛ اما تلاش‌های صورت گرفته تا امروز نیز به‌نوبه‌خود ارزشمند هستند.

فن خنک‌کننده فعال که همراه با گوشی راگ‌فون 2 در اختیار مشتریان قرار می‌گیرد؛ یکی دیگر از مشخصه‌هایی است که هنگام اجرای تست‌های سنجش کارآیی، عملکرد قابل‌توجهی از خود نشان می‌دهد. این المان دقیقا همانند نسخه اولیه راگ‌فون، عملکرد لوله‌های حرارتی تعبیه شده درون گوشی که در ناحیه یک رادیاتور کوچک تجمیع پیدا می‌کنند را تکمیل خواهد کرد. این مشخصه نه‌تنها با جنبه‌های زیبایی‌شناختی گیمینگ سازگاری مناسبی دارد؛ بلکه ارائه‌دهنده درگاهی جهت تبادل آسان دمای دستگاه خواهد بود. وجود چنین مشخصه‌ای ضروری است؛ به همین دلیل برخلاف گوشی نوبیا رد مجیک 3، ایسوس تصمیم گرفته تا کماکان از فن خارجی استفاده کند.

در توصیف مزایای استفاده از فن خارجی در دنیای واقعی به‌طور خلاصه می‌توان گفت که مشخصه مذکور در واقع به عملکرد پایدار دستگاه و آسایش هرچه بیش‌تر گیمرها حین اجرای پیوسته و طولانی‌تر بازی‌ها اشاره کرد. در واقع این موضوع بدان معناست که بهره‌مندی راگ‌فون 2 از فن خنک‌کننده به تنهایی موجب جهش چشمگیر عملکرد این هندست در بنچمارک‌ها نخواهد شد و در عوض شاهد رشد اندک امتیازات دستگاه خواهیم بود. اما یقینا کاربران به متوسط نرخ فریم بالاتر و روان‌تر در بازی‌ها برای مدت زمانی طولانی‌تر دسترسی خواهند داشت و این مزیت مدیون سامانه تهویه حرارتی دستگاه خواهد بود. بعلاوه در دست گرفتن گوشی و قاب فلزی آن توسط کاربر نیز بسیار آسان‌تر و کم دردسرتر خواهد بود؛ خصوصا آن‌که مناطق ویژه‌ای از قاب گوشی به شدت داغ می‌شوند.

یقینا در آینده، عملکرد پایدار و کارآیی سامانه حرارتی راگ‌فون 2 به شکلی دقیق‌تر مورد بررسی قرار گرفته و نتایج آن به اطلاع عموم خواهد رسید.

منبع gsmarena
  

یه نظری بده!

آدرس ایمیل شما منتشر نخواهد شد.

از دیدگاه شما سپاسگزاریم